要了解Prescott到底发生了什么，我们还要追根溯源从它的工艺改进，技术提高一点点讲起。

Prescott已经是第三代Pentium 4核心，它的一个非常重要的技术提升，就是它使用了7层铜互连技术0.09微米工艺制程进行制造。内部集成晶体管数也达到了1亿2500万个。这个数目比Northwood核心的 Pentium 4翻了一倍还多。而核心面积却由Northwood核心的131平方毫米缩小到125平方毫米，巨大的进步是不言而喻的。

制作工艺的改进带来的直接好处是：更低的工作电压，更小的功耗，而且因为核心面积的降低，同一晶元上可以制造出的核心增多，理论上Prescott的制造成本也应该更低一些。

那么这些理论好处，Prescott实现了多少呢？首先，Prescott的工作电压的确是降低了，为1.25伏，但因此也带了主板适用性的问题，这点我们后文将详述。但在第二点上，工艺的改进，电压的降低，并没有降低Prescott的功耗，或者说Prescott的功耗太大，完全将工艺改进降低的功耗湮没了。

Prescott的功耗起码在89W以上，这是一个让人不舒服的消息，为此Intel专门为Prescott推出了新设计的散热器，照这个速度下去，难不成将来我们真要考虑液冷？而且设想一下，一个CPU就要占用一台电脑三分之一还要多的功耗，实在有些过分了。巨大的功耗，是Prescott引起非议的原因之一。第三点，Prescott的制造成本确实低了，这从目前Prescott的官方售价就可以看出来，它和Northwood核心Pentium 4的售价基本是一致的，这对我们来说是一个有益好消息，直接降低了我们的消费门槛。

除了使用0.09微米工艺，采用Low K CDO技术代替Northwood 所用Low K SIOF技术的7层铜互连技术，Intel还引入应变硅晶(Strained silicon)。应变硅晶属于一种超薄的氧化物，以前Intel处理器全部采用普通矽晶，在连接下面矽锗层的时候，需要非常精密的工艺才可以对接整齐。

但在Prescott处理器中，Intel的工程师在矽元素中加入了一种原子疏松结构的物质，使矽可以自然伸展，自动与下层对接，而且原子排列的可以更加有序。可以让电流通过稀疏的原子格时遇到的阻抗大大下降，通过更迅速。Intel宣称利用这种技术只需将矽原子拉长1％，就可以提高10—20％的电流速度，而成本只增加了2％。

所有的这些工艺改进：0.09微米工艺制程、7层铜互连技术、应变硅晶为未来新的Prescott处理器产品提供了极大的频率上升空间，而频率提升恰恰正是Prescott核心展现自己实力的必要前提。目前估计Prescott的频率能轻松达到4GHz以上，而Intel宣称达到5GHz也没问题。