绕过EUV光刻 国内厂商开发出DRAM内存芯片新技术
2022-06-16 17:13:36  出处:快科技 作者:万南 编辑:万南     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

EUV光刻机是研制先进芯片的一条路径,但并非唯一解。

对于国内厂商来说,当前在3D NAND闪存的发展上,就因为不需要EUV机器,从而找到了技术追赶的机会。

而在DRAM内存芯片领域,尽管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV,可来自浙江海宁的芯盟则开辟出绕过EUV光刻的新方案。

据问芯报道,在中国国际半导体技术大会CSTIC 2022中,芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技术的3D 4F² DRAM架构问世。

他指出,基于HITOC技术所开发的全新架构3D 4F² DRAM芯片,最大特点是不需要用到EUV光刻机,也不需要多重图形曝光SAQP(Self-Aligned Quadruple Patterning)步骤,这可以大幅减少成本,更重要的是,避免了设备被国外制造商卡脖子。

所谓HITOC,即Heterogeneous Integration Technology on Chip的缩写,就是运用先进的晶圆对晶圆和晶粒对晶圆混合键合制造工艺,将不同类型的晶圆或晶粒上下对准贴合,以实现真正的三维异构单芯片集成。

绕过EUV光刻 国内厂商开发出DRAM内存芯片新技术

至于此次的3D 4F² DRAM芯片,具有更低的位线电容、更低的字线延迟、CMOS独立在一片晶圆上设计不受Array工艺制程限制以及更低的成本等优势,只是还不清楚最终的芯片成品可以对标大厂的几纳米。

事实上,HITOC技术两年前就被芯盟用在了存算一体AI芯片SUNRISE上,该芯片已经应用在晶圆厂生产线智能缺陷分类系统领域。去年,HPC公司豪微科技最新流片成功的布谷鸟2芯片上,也借助芯盟的HITOC技术,实现了大容量存算一体3D架构。

资料显示,芯盟(ICLeague)是一家成立于2018年的年轻公司,总裁、CEO洪沨毕业于美国北卡罗莱纳州立大学材料科学与工程专业,曾在Intel、NXP、中芯国际、武汉新芯、积塔等工作,高管中其它核心乘员也都有着过硬的学历和半导体从业背景。

绕过EUV光刻 国内厂商开发出DRAM内存芯片新技术

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