快科技9月4日消息，美光科技正计划在今年年底前进行大规模设备投资，全力提升最新一代HBM4 12层产品的供应能力。此举意在弥补与三星电子、SK海力士在HBM产能上的差距，抢夺更多市场份额。

据悉，美光此次扩产力度空前，计划在今年年底前新增最多6万片/月的HBM产能（按晶圆计）。去年美光HBM月产量约4万至5万片，若年底顺利达到10万片规模，其产能将是去年的两倍有余。

美光积极扩产，主要得益于HBM4爬坡速度远超预期。美光CEO梅赫罗特拉在今年6月财报会上透露，12层HBM4的量产爬坡速度约为12层HBM3E的两倍，HBM4累计出货营收已超10亿美元。

目前美光HBM产量仍以HBM3E 12层为主，HBM4 12层占比从今年初的20%至30%，预计年底将升至最高50%。12层HBM4将用于英伟达最新AI加速器Vera Rubin，美光自今年第二季度起已量产该产品。

在AI算力竞赛驱动下，全球记忆体三巨头的HBM产能军备赛正全面升级。据业界估算，目前，三星与SK海力士的HBM月产能各约15万至20万片，约为美光目前水准的3至4倍。

据Counterpoint Research数据，今年第二季度SK海力士以50%份额位居全球HBM市场第一，三星电子占32%，美光占18%。

美光还在为下一代产品布局，预计HBM4E将于2027年开始放量，首批样品将采用1-gamma（1γ）制程的DRAM模组打造。核心DRAM升级至首次导入EUV的1γ工艺，基底芯片转由台积电代工。