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快科技6月11日消息,据媒体报道,SK海力士日前宣布,已完成375层3D NAND闪存的生产验证,正加快推进产线落地。 此次并未新建厂房,而是对清州M15工厂现有产线进行改造升级——该厂原
快科技6月11日消息,SK海力士集团董事长崔泰源在接受日经采访时表示,为满足AI计算关键存储芯片的激增需求,公司计划到2034年将晶圆产能提高三倍。 崔泰源表示:“由于我们正在推进尽可能
快科技6月11日消息,据报道,SK海力士已完成375层NAND闪存的量产验证,正将清州M15工厂的原产线从176/238/321层升级改造为375层产品产线,计划于2026年底前实现量产。 该产品最初规划为400层架
快科技6月9日消息,近日,英伟达创始人黄仁勋开启访韩行程,除了接连会见韩国科技行业与商界的核心人士外,还在社交平台上制造了不少轻松话题。 其中,他在街头向市民随手分发的“HBM薯片
快科技6月8日消息,SK海力士宣布,与英伟达达成一项为期多年的技术合作协议,共同推进面向人工智能(AI)工厂的下一代存储器技术,加速半导体设计与制造的智能化进程。 该协议建立在双方多年深
快科技6月8日消息,近期,全球科技股迎来一轮抛售行情,AI相关概念股普遍承压。 面对股市大幅回调,今日,英伟达首席执行官黄仁勋非但没有回避,反而将这轮下跌定性为入场良机,并重申AI基础设
快科技6月8日消息,英伟达最新AI平台Vera Rubin进入量产阶段,SK海力士、三星和美光之间的竞争正从层数比拼转向技术攻坚,芯片内部热管理已成为HBM5时代的关键突破口。 AI硬件加速迭代,英伟达
快科技6月5日消息,据TrendForce报道,SK海力士正着手大规模扩张DRAM产能。 目前,公司已与主要供应商分享了相关计划,目标是在2030年至2031年前后,将DRAM产能提升至当前水平(约每月55万片晶
快科技6月4日消息,在今年的台北国际电脑展(COMPUTEX)上,SK海力士展出了HBM4E 48GB 12Hi样品。 该内存基于12层堆叠的32Gb 1cnm DRAM Die,引脚速率达16.0Gbps,单堆栈带宽高达4.0TB/s。 SK
快科技6月4日消息,想要等存储芯片价格出现明显下调,短期来看大概率还是很难实现。 一方面全球核心存储产能长期被韩国、美国的几大国际巨头垄断,另一方面当下AI驱动的行业高景气度也在持续托