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SK海力士据悉正考虑在美生产存储芯片，可能与英特尔达成潜在合作。 知情人士透露，SK海力士与英特尔就在美国境内首次生产存储芯片的潜在合作展开谈判，讨论的方案之一是SK海力士租用英特尔位于
快科技9月11日消息，据报道，中国最大DRAM制造商长鑫存储已正式启动大规模设备投资准备，近期针对上海新晶圆厂向合作伙伴展开设备招标，并进一步具体化多座新厂的扩展计划。 长鑫存储目前已在合
快科技9月11日消息，刚好踩中这一轮全球存储芯片涨价的行业红利，长鑫存储的业绩表现直接一路起飞，但如果拉到全行业维度和三星、SK海力士这类国际存储巨头相比，长鑫当前的整体体量依然还有非常
快科技9月10日消息，据韩国《朝鲜日报》报道，中国最大DRAM厂商长鑫存储（CXMT）已启动第四代高带宽内存HBM3的试产，但初期良率迟迟无法突破，停留在25% 的水平。暗讽4个里3个是废品。 该
快科技9月8日消息，韩国券商KB Securities最新报告警告，三星电子与SK海力士的存储半导体库存已降至不足10天供应量，预计明年可用货源将明显不足。 该机构在周一发布的报告中指出，人工智能基础
快科技9月4日消息，美光科技正计划在今年年底前进行大规模设备投资，全力提升最新一代HBM4 12层产品的供应能力。此举意在弥补与三星电子、SK海力士在HBM产能上的差距，抢夺更多市场份额。 据悉
快科技9月4日消息，据财联社消息，韩国国有电力公司韩国电力正与三星电子和SK海力士洽谈一项数十亿美元规模的电费预付款计划，以此筹措资金，为新建半导体产业集群配套电网建设。 按照现有方案
快科技9月1日消息，据报道，SK海力士CEO Kwak Noh-Jung在近日的美国新厂动工仪式上表示，当前看不到存储市场有任何下行迹象，存储短缺预计将持续到2030年底。 SK海力士对内存市场的缓解时间点一
快科技8月31日消息，SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片（Base Die）的生产交由英特尔代工，以减少对台积电晶圆代工的过度依赖。该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始逐步推进。 在HBM3E及此前世
快科技8月28日消息，SK海力士宣布，当地时间8月27日在美国印第安纳州西拉斐特举行AI存储器先进封装生产基地奠基仪式。 这是SK海力士在美国的首个HBM生产据点，印第安纳州州长、参议员、普渡大学
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