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1.3、1.2nm两联发 台积电公布A13、A12工艺:2029年问世
2026-04-23 13:40:45  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接复制对文章内容进行纠错纠错

快科技4月23日消息,继2025年公布A14工艺之后,台积电在今天的技术论坛上再次公布了未来的工艺路线图,分别是A13、A12,等效于之前说的1.3、1,2nm工艺。

如果按照以往的摩尔定律进化来看,A14工艺之后应该是A10,也就是直接进入1nm工艺,然而10nm之后芯片工艺开始逼近物理极限,所以各家的工艺进步没有那么大,命名也开始改用A+数字或者数字+A,其中的A代表就是埃米,台积电是A16、A14之类的,Intel则是18A、14A等。

这次的A13就是A14工艺的改进版,面积减少了6%,设计规则兼容A14,但通过协同优化实现了更高的性能及能效,量产时间2029年,比A14晚一年。

再往下就是A12工艺,也是A14的增强版,会用上SPR(Super Power Rail)超级电源轨技术,原理跟Intel在18A工艺上使用的背部供电PowerVia相似,但两家的技术实现不同。

A12预计也是在2029年投产。

台积电后续还会继续打磨2nm工艺,再推出一个N2U平台,速度提升3-4%,功耗降低8-10%,密度提升2-3%,预计2028年投产。

台积电没有提及A13及A12工艺具体的性能及功耗改善情况,估计这方面变化不会多大,而且SPR技术最早之前说是在2nm节点的N2上就首发,后面改成了A16工艺首发,但是现在又提到了A12上使用SRP,让人有些迷惑。

这里面的变动也可以看出工艺到5nm以下之后,每代提升都是极大的挑战,这些厂商一旦进度不如预期,就直接变成新一代工艺了,再这么下去A10之前还会有个A11工艺问世。

1.3、1.2nm两联发 台积电公布A13A12工艺:2029年问世

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