[以立体空间换取大容量－三维存储芯片技术]

相比制造工艺的稳步升级，向空间扩展的三维存储技术看起来更加疯狂。该技术由一家名为Reveo的存储技术开发企业提出，该公司表示，它们已经成功实现3D结构的闪存芯片，在现有技术条件下，可让闪存的最高容量达到现有技术的1000倍以上，听起来让人觉得非常不可思议。

前面提到，提高芯片容量不外乎这么几种方法：改良逻辑结构以提高其存储密度、更先进的工艺使芯片可集成更多的晶体管、芯片堆叠封装技术达到翻倍的效能。这些方法对容量的提升都立竿见影，不过，逻辑结构不可能经常性改良，达到一定程度后将接近极限，难有持续性提升的可能。芯片堆叠封装也是如此，真正可以让闪存容量稳步提升的只有依靠半导体制造工艺了，我们可以看到，每一次工艺的升级都会带来容量的大幅提升，各半导体厂商对此甚为积极。然而，提升工艺的代价高得惊人，从0.13微米到0.11微米、到90纳米、再到60纳米，每一步工艺转换都需要花费数十亿美元的巨额资金，即便是实力雄厚的半导体业巨头也都难以承受，制造出的高容量显存价格也是居高不下。而Reveo所提出的3D存储芯片则是一套低成本、高收益的方案，采用这项技术，闪存厂商根本无需升级工艺就能够轻易实现超大容量，其关键就在于3D存储的多层电路机制。

我们知道，现有各种半导体芯片都采用平面的结构，硅芯片上只有一个功能完整的电路，要提高容量就得扩大晶体管规模，芯片面积增大，成本上扬。Reveo的设计其实非常简单：在现有逻辑电路层的基础上再加多层同样的电路，芯片容量即可翻倍。Reveo表示，只要高度允许，闪存厂商可以轻易制造出含1000层逻辑电路的闪存，并将它们整体封装为一枚单芯片，在当前技术条件下即可获得1TB海量的超级闪存。该方案最大的优点在于廉价实现，现在的0.13、0.11微米工艺均可适用，企业无需花费巨资建设新工厂或者提升工艺水平，制造大容量闪存的成本只有常规模式的10%，将其快速推入主流市场完全可行。

Reveo 3D存储芯片方案具有革命性的意义，但它要投入实用也许尚需时日。Reveo只是一家存储技术开发公司，在闪存业几乎没有什么影响力，加上需要多大容量的闪存完全取决于数码产品的技术水平，以目前的状况为例，1到2GB容量已经相当可观，超过这个限度就已经没有用武之地了。不过，如果3D存储技术得到应用，同样能够明显降低大容量闪存的制造成本，对那些不愿花费巨资转换工艺的闪存厂商尤其具有实用价值。