[以立体空间换取大容量－制造技术不断改善]

在电路逻辑类型确定之后，闪存的存储密度指标也就固定了，不过，闪存所能达到的最高容量还与随后进行的芯片制造与封装技术有莫大的关系。为了实现尽可能高的容量，各个闪存芯片的生产厂商积极开发新的制造和封装技术。在制造方面，线宽更短的先进工艺为大势所趋，立体结构的3D芯片也是大幅度提高容量的法宝。而在封装方面，双面封装乃至芯片堆叠封装技术将成为今后的主流。

在逻辑结构不变的条件下，采用先进的制造工艺也可以达到降低成本，提高芯片容量的目的。该种思路的典型代表就是Intel公司，尽管在闪存技术的开发上落后于Spansion，但在制造工艺上Intel则领先了一代。目前Intel已经全面采用90纳米工艺来制造NOR型闪存，先进工艺可使芯片的面积大幅度减少，制造成本也由此得到明显降低，提高价格竞争力便成为可能。相比之下，Spansion也是在年底才实现0.11微米工艺，而绝大多数闪存芯片制造企业仍然以0.13微米为绝对主流。

除Intel外，三星公司在工艺技术方面也表现出强烈的进取精神，在上个月，它们甚至对外界骄傲地宣称“首次成功地使下一代60纳米技术迈向了商业化”，并展出采用该工艺制造的NAND闪存产品，它的容量达到惊人的8GB。我们可以在一枚这样的NAND芯片上存储高达16小时的压缩视频或4000个MP3音频文件，结合多芯片封装技术的话，三星将具备16GB闪存芯片的制造能力—前提是市场存在这样的需求。按照计划，60纳米工艺将于2005年一季度开始投产，同时三星也打算推出4GB的“小容量”版本满足主流市场的需求，绝对领先的制造工艺让三星公司牢牢把持NAND型闪存领域的技术优势。