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新一代闪存技术剖析
2005-03-14 15:35:00  出处:快科技 作者:《个人电脑》 编辑:驱动之家评测室     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

    [总结]

作为一个从属产业,闪存发展到今天的规模可称奇迹。数码市场的旺盛需求和高速发展态势成为最直接的推动力,在可预见的将来,这样的趋势还将继续,闪存市场会变得越来越庞大。面对前所未有的机遇,所有闪存芯片和闪存卡厂商都竭尽全力提升自身的技术水平,以图在竞争中占据有利地位。从目前来看,三星和AMD两家企业是市场上的最大赢家,二者分别在NAND与NOR型闪存领域,未来的竞争很可能在这两大巨头之间展开。凭借第二代MirrorBit技术,AMD完全有机会在NOR型闪存市场继续扩大优势,Intel仅依靠90纳米工艺很难抢得优势。同时,ORNAND技术让AMD可以大举进入NAND市场,以获得更广阔的发展空间。


新一代闪存技术剖析

与此类似,三星公司凭借60纳米技术将在NAND领域把竞争对手远远甩在后头,并以“OneNAND”技术渗透入自己未曾涉及的NOR市场。在芯片制造方面,新工艺会得到积极的应用,Reveo所提出的三维存储芯片虽然理念前卫,但它超越了实际的需求,更现实的芯片堆叠封装技术则会被业界广泛接纳。在闪存卡标准方面,混乱的格局仍然难以打破,设计完美的Fish Memory恐怕很难实现勃勃野心。在未来的一段时间内,各个厂商各自为政、在自己的王国中进行按部就班技术提升的局面将得到延续。

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