[数码设备带动了闪存技术的进步]

数码设备的快速增长带动了整个闪存市场。在几年前价格昂贵的数码相机、MP3播放器、手机、掌上电脑等数码产品，今天已经进入到大众消费阶段。不断新增的用户，加上快速的产品更新周期，造就了一个庞大的产业，其中，闪存行业可以说是最大的受益者。数据存储是数码产品必备的功能，如存储数码照片、MP3音乐、手机/PDA的操作软件等等。由于这类数码产品要求尽可能便携，所对应的存储介质自然就要求体积小巧。在当时，闪存产品是唯一的选择，许多半导体厂商投身于该领域并获得极其丰硕的成果，其中我们可以看到三星、AMD、Intel、富士通、东芝、美光这些半导体业的巨头。

和其他任何存储行业一样，增大存储密度、缩小体积占用、提高读写速度是闪存技术进化的指导方向，而数码行业的激烈竞争和高速更新要求闪存业进行同步的变革。当年，区区8MB闪存卡已经是“超大容量”，今天这个数字达到十几个GB，读写速度发展到160倍速—比第一代闪存整整快了159倍。而闪存芯片和闪存卡的体积却变得越来越迷你，大小如邮票、轻薄如纸片，这样的产品市面上已经非常普遍。几乎每一天，这个领域都有新技术出现，在迎来2005年的时候，我们将向大家介绍闪存领域的新技术变革，这些技术包含闪存的逻辑结构、闪存芯片的制造与封装、闪存卡的新标准与标准升级等多个领域。

    [闪存逻辑结构的改进]

如果只从物理方面来看，闪存芯片与内存芯片、CPU芯片、DSP芯片属于同一个家族，都属于大规模硅半导体集成电路，然而它们的功能相去甚远。CPU/DSP负责数据运算；内存只能够临时保存数据，但速度超快；而闪存可以永久性保存数据，可读写速度甚至还不如硬盘。这种泾渭分明的功能区别完全取决于它们各自的逻辑电路设计。众所周知，CPU、内存的更新换代是以逻辑设计的改变为标志，闪存也是如此。在近期，该领域的重要技术便是Spansion公司的第二代MirrorBit技术、ORNAND技术和三星公司的OneNAND技术。

高密度NOR型闪存

第二代MirrorBit是Spansion公司力推的新型NOR闪存结构。我们先来介绍一下Spansion的背景：这家公司成立于2003年，由AMD公司与富士通公司的闪存业务部门合并而成，因这两家公司在NOR型闪存领域本身就拥有举足轻重的地位，合并后的Spansion便一举跃升为全球最大的NOR型闪存企业。在过去的一些介绍中，大家应该了解到闪存可分为两大流派：NOR型闪存速度很快，数据储存安全可靠，嵌入式系统、应用软件可以在上面直接运行，但它的存储容量相对较小，主要应用于手机、掌上电脑、无线通讯、网络通讯、数字机顶盒以及其他数字家电产品中；另一种便是通常可以见到的NAND型闪存，它的特点是存储容量都比较大，但速度较慢、容易出错，故而难以满足装载关键软件的要求，只能用于各类数据的常规存储。数码相机、MP3播放器使用的闪存卡和作为移动存储设备的闪存盘所使用的便都是NAND型闪存。而在NOR与NAND所组成的闪存市场中，NOR产品占据总量的2/3左右，居于绝对的主导地位，这一切应该归功于手机的高普及率和更新速度。

相比第一代的MirrorBit，第二代技术带来的变化是革命性的。第一代MirrorBit闪存是AMD公司的杰作，诞生时间是2001年。当时，Intel的MLC技术已经应用了整整4年。凭借突出的性价比优势，MirrorBit闪存进入应用阶段后市场份额急剧提升，发展到现在已占据NOR型闪存市场的半壁河山。为了挽回局势，Intel曾在2002年推出新一代MLC技术，其主要改变就是以更先进的90纳米制造工艺来生产闪存，达到大幅度降低成本，提高价格竞争力的目的。作为Intel在该领域的主要对手，Spansion公司在04年5月份对外界公开了作为提升竞争力法宝的第二代MirrorBit技术，它在容量和速度方面都有了非常明显的提升，这种性能增益来自于它在逻辑结构上的改进：在过去各类NOR闪存中，每一个基本存储单位（Flash Memory Cell）都只能存放1Bit的数据，而第二代MirrorBit技术将这个数字提高到2Bit，密度增加了一倍，且只要增加很少的晶体管。如此一来，在保持闪存芯片尺寸不变的条件下，将存储容量大幅度提高便成为现实，这也是第二代MirrorBit技术最主要的优点。其次，第二代MirrorBit在性能方面也有了长足的进步。若在随机操作模式下，第二代MirrorBit的数据读取频率可达到80MHz，连续读取状态下其峰值性能可高达150MBps，比硬盘快上许多。写入速度则达到2.5MBps，虽然与读取速度不成比例，但对NOR型闪存来说这已经是很优秀的指标。在可靠性方面，第二代MirrorBit也有很明显的改善：它具有独特的扇区保护功能，可以对包括重要操作系统代码、关键应用软件进行保护，避免因存储逻辑受破坏造成系统或软件无法启动的现象。另外，第二代MirrorBit闪存将使用0.11微米工艺来取代现有的0.13微米工艺，可进一步降低制造成本。综合上述特性，我们不难看出第二代MirrorBit的强大实力：翻倍的存储密度、更快的速度、更低的芯片制造成本，堪称NOR型闪存标准的终结者，而产业界对该项技术也是赞誉有加，市场前景看好。

目前，采用第二代MirrorBit技术NOR型闪存已经开始进入投产阶段，下游厂商对此态度甚为积极，Spansion进一步扩大自己在该领域的优势完全可预见。Spansion还计划能在2005年中期将制造工艺升级到更先进的90纳米，达到进一步提升产品容量和降低成本的目的，相信这些举措将对NOR型闪存市场产生深远的影响。更鼓舞人心的是，Spansion公司的亚微米开发中心目前已经开发出每个存储单元内可保存4Bit的“QuadBit”技术，一举将闪存的存储密度提高到现有产品的四倍。而该技术也将作为第二代MirrorBit的接替者，Spansion希望能在2007年开始导入该技术并生产出8GB超大存储容量的通用型闪存产品。

    [闪存架构融合]

NOR型闪存与NAND型闪存在技术上各有特长，NOR所长即为NAND所短，反之亦然。那么，能否将二者合为一体，以一个统一的“完美标准”来取代它们呢？Spansion提出的“ORNAND”与三星公司的“OneNAND”方案便是两个候选者。

从其命名不难看出，ORNAND是NOR技术与NAND技术的结合体，它将具有NOR型闪存可执行软件代码和高可靠性的优点，以及NAND型闪存大容量的优点。在基础架构上，ORNAND其实构建于第二代MirrorBit技术的基础之上，每个存储单元可以表达2Bit数据，而关键的地方在于读写控制的改变。出于技术保密的原因，Spansion尚未对外界公布ORNAND技术的详细细节，我们只知道它可以将脉冲的写入速度提高到现有NAND型闪存的2到4倍，写入性能非常出众，再加上它还具有MirrorBit NOR技术的所有优点，如高可靠性、高读取速度和低成本，使得ORNAND技术表现非常全面。Spansion希望ORNAND能首先以高性能作为卖点，从NAND型产品为主的厂商手中夺取新的市场份额，至于Spansion占据优势的手机市场，接纳这项技术没有任何障碍—ORNAND的读取速度与NOR型产品相当，手机厂商实在没有拒绝的理由。目前，ORNAND处于研发的后期阶段，预计首批产品可在年内面市，而Spansion则计划到2007年让ORNAND产品成为主流选择，届时其存储容量可以达到8Gbit。凭借这项技术，Spansion希望进入到年收入高达89亿美元的数据存储市场 ，而迄今为止这个市场还是NAND型产品的天下。

三星公司是NAND阵营的主力厂商，它在近期提出的OneNAND闪存技术与Spansion的ORNAND技术可谓是不谋而合，双方相互向对方的领域拓展空间。OneNAND将主要针对手机市场，它具有NOR型闪存的高速数据读取性能与NAND型闪存的大容量特性。但与Spansion ORNAND不同的是，三星OneNAND在结构上基于它所擅长的NAND架构，芯片集成了一个66MHz频率的同步逻辑接口和高速缓存读取功能，前者可提供高达108MBps的接口带宽，后者则可以实际增强闪存的读取性能。三星表示，OneNAND的数据读取性能达到现有NAND闪存的四倍之多，完全可满足手机市场的需要。写入速度方面，OneNAND与现有NAND闪存相当，若不采用DRAM缓存，OneNAND芯片的写入速度可达到10Mbps，500万像素规格的数码相机若以之为存储介质，便可支持连续不断高速连拍或视频录制功能。再者，OneNAND闪存在安全方面设计完善，不仅可有效防止伪造，还可通过闪存模块的“功能锁”将运行中的程序保护起来，使之免收病毒的感染。

OneNAND技术其实早在2003年就已经推出，但真正开始大规模推广还是在2004年，目前已有10余家客户选择OneNAND产品，应用领域涵盖手机、PDA、数码相机、数字电视、游戏机和GPS导航系统。在刚过去的11月份，三星公司展示了采用90纳米工艺制造、1GB大容量的OneNAND闪存芯片，同时三星还带来了一个完善的解决方案：将OneNAND闪存与手机所用的SDRAM芯片封装于一个整体模块中，手机厂商可直接采用该模块无需自行设计，大大减小了开发难度。

    [以立体空间换取大容量－制造技术不断改善]

在电路逻辑类型确定之后，闪存的存储密度指标也就固定了，不过，闪存所能达到的最高容量还与随后进行的芯片制造与封装技术有莫大的关系。为了实现尽可能高的容量，各个闪存芯片的生产厂商积极开发新的制造和封装技术。在制造方面，线宽更短的先进工艺为大势所趋，立体结构的3D芯片也是大幅度提高容量的法宝。而在封装方面，双面封装乃至芯片堆叠封装技术将成为今后的主流。

在逻辑结构不变的条件下，采用先进的制造工艺也可以达到降低成本，提高芯片容量的目的。该种思路的典型代表就是Intel公司，尽管在闪存技术的开发上落后于Spansion，但在制造工艺上Intel则领先了一代。目前Intel已经全面采用90纳米工艺来制造NOR型闪存，先进工艺可使芯片的面积大幅度减少，制造成本也由此得到明显降低，提高价格竞争力便成为可能。相比之下，Spansion也是在年底才实现0.11微米工艺，而绝大多数闪存芯片制造企业仍然以0.13微米为绝对主流。

除Intel外，三星公司在工艺技术方面也表现出强烈的进取精神，在上个月，它们甚至对外界骄傲地宣称“首次成功地使下一代60纳米技术迈向了商业化”，并展出采用该工艺制造的NAND闪存产品，它的容量达到惊人的8GB。我们可以在一枚这样的NAND芯片上存储高达16小时的压缩视频或4000个MP3音频文件，结合多芯片封装技术的话，三星将具备16GB闪存芯片的制造能力—前提是市场存在这样的需求。按照计划，60纳米工艺将于2005年一季度开始投产，同时三星也打算推出4GB的“小容量”版本满足主流市场的需求，绝对领先的制造工艺让三星公司牢牢把持NAND型闪存领域的技术优势。

    [以立体空间换取大容量－三维存储芯片技术]

相比制造工艺的稳步升级，向空间扩展的三维存储技术看起来更加疯狂。该技术由一家名为Reveo的存储技术开发企业提出，该公司表示，它们已经成功实现3D结构的闪存芯片，在现有技术条件下，可让闪存的最高容量达到现有技术的1000倍以上，听起来让人觉得非常不可思议。

前面提到，提高芯片容量不外乎这么几种方法：改良逻辑结构以提高其存储密度、更先进的工艺使芯片可集成更多的晶体管、芯片堆叠封装技术达到翻倍的效能。这些方法对容量的提升都立竿见影，不过，逻辑结构不可能经常性改良，达到一定程度后将接近极限，难有持续性提升的可能。芯片堆叠封装也是如此，真正可以让闪存容量稳步提升的只有依靠半导体制造工艺了，我们可以看到，每一次工艺的升级都会带来容量的大幅提升，各半导体厂商对此甚为积极。然而，提升工艺的代价高得惊人，从0.13微米到0.11微米、到90纳米、再到60纳米，每一步工艺转换都需要花费数十亿美元的巨额资金，即便是实力雄厚的半导体业巨头也都难以承受，制造出的高容量显存价格也是居高不下。而Reveo所提出的3D存储芯片则是一套低成本、高收益的方案，采用这项技术，闪存厂商根本无需升级工艺就能够轻易实现超大容量，其关键就在于3D存储的多层电路机制。

我们知道，现有各种半导体芯片都采用平面的结构，硅芯片上只有一个功能完整的电路，要提高容量就得扩大晶体管规模，芯片面积增大，成本上扬。Reveo的设计其实非常简单：在现有逻辑电路层的基础上再加多层同样的电路，芯片容量即可翻倍。Reveo表示，只要高度允许，闪存厂商可以轻易制造出含1000层逻辑电路的闪存，并将它们整体封装为一枚单芯片，在当前技术条件下即可获得1TB海量的超级闪存。该方案最大的优点在于廉价实现，现在的0.13、0.11微米工艺均可适用，企业无需花费巨资建设新工厂或者提升工艺水平，制造大容量闪存的成本只有常规模式的10%，将其快速推入主流市场完全可行。

Reveo 3D存储芯片方案具有革命性的意义，但它要投入实用也许尚需时日。Reveo只是一家存储技术开发公司，在闪存业几乎没有什么影响力，加上需要多大容量的闪存完全取决于数码产品的技术水平，以目前的状况为例，1到2GB容量已经相当可观，超过这个限度就已经没有用武之地了。不过，如果3D存储技术得到应用，同样能够明显降低大容量闪存的制造成本，对那些不愿花费巨资转换工艺的闪存厂商尤其具有实用价值。

    [以立体空间换取大容量－双面封装与堆叠封装]

倘若单枚芯片无法提供足够的容量，厂商还可以通过双面封装或堆叠封装技术来制造出更大的闪存卡。如在一个封装中整合双枚芯片，容量自然提高了一倍。这种做法目前颇为流行，市面上的大容量闪存卡产品有相当的比例属于该体系。

Kingmax公司研发的PIP封装技术是双面封装的代表，PIP将半导体芯片封装与PCB基板组装流程结合起来。传统的存储卡一般为四层结构，从上到下分别为顶盖、写保护开关、PCB电路板和底盖，闪存芯片就直接焊接在PCB电路板的正面。PIP封装对此作了改良，它在PCB电路板的正反面都集成了未封装的闪存颗粒，然后对其作整体式封装，这样闪存卡中的闪存芯片数量就提高一倍，容量当然随之跃升。目前，采用这种技术的只有Kingmax一家企业，虽然他们同样需要向上游企业购买闪存芯片，但封装工序却由Kingmax独自完成。而其他闪存卡厂商都是直接购买封装好的芯片，再将它们集成于电路板之上。如果在电路板的双面都集成芯片，闪存卡就很难保持限定的小体积。

芯片堆叠封装与PIP封装有异曲同工之妙，但实现方式二者完全不同。所谓堆叠是指将从晶圆中切割出来的闪存颗粒叠放在一起，然后作整体封装。从外表来看，它只是一枚普通的单芯片，但其内部却拥有两颗甚至更多的闪存颗粒，实现大容量自然没什么问题。芯片堆叠封装有点3D存储的意味，但我们要明确其堆叠的对象是切割完毕的闪存颗粒，而前面介绍的Reveo 3D存储技术则是将逻辑电路进行堆叠，当它从晶圆上切割出来之后即已拥有超大容量，并不需要再次进行堆叠封装。

堆叠封装的代表厂商是日本东芝公司，在去年4月份它们就向外界推出8GB容量的NAND型闪存，其存储核心其实是由两枚4GB容量的闪存芯片构成。东芝公司还计划制造4枚芯片堆叠封装的闪存产品，可获得16GB的超大容量。换句话说，我们完全不必再担忧闪存容量瓶颈的问题，现在来看是太富余了，厂商应该将重点放在尽快降低主流容量产品的制造成本上面。

    [闪存卡的标准升级－MMC 4.0与RS-MMC标准]

对于数据存储应用而言，封装完毕的NAND型闪存还不能单独上市销售，OEM厂商采购芯片后再制造出对应的闪存卡产品。闪存卡包含传输接口和读写控制逻辑，打个简单的比方：NAND芯片好比是硬盘的存储主体—磁头和盘片，而闪存卡则相当于可上市的硬盘产品—存储主体和电路板。作为标准化存储设备，硬盘拥有统一的ATA/SCSI接口规范，各个厂商都必须遵循这一规范，产品的接口也完全一致，因此具有很好的兼容性。但闪存卡领域并不如此，许多厂商都制定了自己的规范，并联合其他厂商共同推广，下游的数码产品厂商也从自身利益出发选择不同体系的闪存卡，这样就造成标准林立的状况。目前市面上流行的闪存卡标准包括：CF卡（CompacFlash)、MMC卡、SD卡（Secure Digital Card）、SM（SmartMedia）卡、xD卡（xD Picture Card）以及索尼的记忆棒（Memory Stick）系列。过去我们曾对这些标准作过很详细的论述，此处就不再重复。在此我们将向大家介绍近期存储卡领域的新发展：MMC阵营的MMC 4.0和RS-MMC标准、UTMA（通用传输存储协会）组织带来的Fish Memory—后者尤其具有革命性的意义。

MMC标准诞生于1997年，SanDisk和德国Siemens（西门子）是该标准的首创者。到目前为止，MMC已经发展到了第四代，而最新的4.0标准则是在04年3月份由MMCA协会发布的，现已进入到实际应用阶段。（MMCA：MMC卡协会，主力成员包括SanDisk、英飞凌Infineon、诺基亚、惠普、三星、美光和Renesas Technology公司。）

与前代技术相比，MMC 4.0在性能方面有了惊人的提升，它的最高数据传输率可达52MBps，整整是以前标准的20倍。高性能得益于两方面设计：首先，MMC 4.0可支持8Bit并行总线，而之前标准采用的是1Bit串行总线，在同频率下MMC 4.0便可将传输性能提高到原来的8倍；其次，MMC 4.0的总线时钟频率从20MHz提升到26MHz和52MHz，若工作在52MHz、8Bit总线模式下，数据传输率就可以达到52MBps的高指标。这项改进让MMC卡的性能有了本质性的提高，可满足未来几年内的市场需求。另外，MMC 4.0支持3.3V和1.8V双电压工作模式，在1.8V时，存储卡的功耗将明显降低，有利于延长设备的电池使用时间，手机和其他小型数码产品可从中受益。

与MMC标准的定位不同，衍生出的RS-MMC（Reduced Size Multi Media Card）标准主打小型数字设备市场。早在2002年11月，MMCA协会就发布了RS-MMC标准，它在逻辑性能方面完全继承MMC，但是长度从32毫米缩小到18毫米。首款RS-MMC存储卡在2004年3月份正式推出，目前也只是处于前期的推广阶段。在容量方面，RS-MMC已经实现1GB的大容量，主流产品为256MB，可直接使用RS-MMC存储卡的手机产品主要有诺基亚7610、三星V500/V4400/P730/D710、西门子S65等型号，这三家厂商也都是MMCA组织的核心成员。RS-MMC一个非常值得称道的地方就是兼容性，接上一个专门的转接器，你就可以把RS-MMC卡当作一块标准的MMC卡使用，应用范围大大扩展了。

    [闪存卡的标准升级－Fish Memory闪存卡标准]

存储卡标准的多样化造成不同体系的产品无法通用，比如说，我们不可能把MMC卡插入采用CF标准的设备中，反之亦然。数码设备厂商常常为选择何种存储卡大伤脑筋，消费者更是为突出的兼容问题而烦恼—你无法在数码相机、MP3播放器和掌上电脑三者之间共享同一个大容量的存储卡，而只能多掏腰包分别购买多个。再者，在不同数码设备间交换数据变得非常麻烦，我们只能借助桌面PC，操作十分繁琐。倘若能像硬盘一样有一个统一的闪存卡标准，上述问题将迎刃而解。来自UTMA协会的Fish Memory存储卡便是这样的候选者。

为了实现标准化，Fish Memory存储卡没有采用专属总线的做法，而是直接采用流行的USB 2.0总线，可提供高达480Mbps的惊人速度，远超过目前闪存芯片的实际效能，相信在未来多年都不会遇到瓶颈。再者，USB 2.0总线具有极好的通用性，几乎所有数码产品都是通过该总线与PC相连，改用Fish Memory存储卡没有任何技术难度。无论是数码相机、MP3播放器、掌上电脑、移动电话、家用游戏机、便携视频播放器均可平滑转移到Fish Memory体系，所有产品共享同样的存储介质，而用户甚至还可以把它当作闪存盘来使用。方便易用的特性明显优于时下林林总总的闪存卡标准。

从技术角度看，Fish Memory与现在的闪存盘的确很相似，但二者还是有较大的区别：闪存盘同样采用USB 2.0接口，外形可任意设计，而Fish Memory虽然采用相同的总线，可外形被严格标准化，专用程度更高一些。为了满足市场的多方位需要，UTMA协会制定了主流型Fish Memory和小型的Baby Fish两套标准，前者采用双闪存芯片结构，两枚芯片在电路板上平铺以实现大容量，它的尺寸仍然小于SD卡。而Baby Fish则只有单枚闪存，长度短了1/4。容量方面，Fish Memory 目前可以达到2GB，估计在2005年底可达到16GB，这取决于NAND型闪存芯片的技术情况。

在人性化方面，Fish Memory值得称道，它采用了一项名为“TADS（Task Automation Data Structure）”的自动分配任务数据架构，该技术可让Fish Memory的数据交互操作变得非常简单。举个例子，如果你想把数码相机中的数码照片打印出来，常规方法是将照片打印机和数码相机都连接到电脑上，然后通过三方程序实现打印输出。但在Fish Memory系统中，只须点击几下鼠标，创建一个照片打印任务，并将它存储在Fish Memory中。接下来，将数码相机的Fish Memory卡直接插入照片打印机或联结打印机的电脑中，确认这个任务，打印工作便会在后台进行。此外，TADS还支持音乐下载、文件备份、数据同步等其他交互操作，用户要做的就是通过TADS创建一个任务，然后在对应设备上确认执行，所有这些任务细节都由TADS所掌管，用户无需手动干涉，人性化设计明显优于现有其他各种存储卡技术。另外，Fish Memory支持FCPT（Future Copyright Protection Technology）版权保护技术，防止文件被非授权滥用。

然而，Fish Memory要得到真正普及并不容易。UTMA组织并没有一个强有力的领导厂商，根据以往经验，任何一项新标准要得到推行，必然要以强大的实力作为后盾，UTMA组织并没有这么硬的后台。其次，现有各种存储卡市场都发展成熟，各个厂商都花费了大量的投资，转移到Fish Memory将会导致已有投资白白浪费，这是大家难以承受的。第三，标准化的Fish Memory产品必然意味着同质化，所有厂商的产品都没有什么区别，一个缺乏差异化的市场最终只会导致同质化竞争，这简直就是各大闪存厂商的恶梦。最后一个原因在于专利问题，我国朗科公司拥有“闪存＋USB接口”的设计专利，Fish Memory的设计显然构成专利侵犯，国外厂商对此恐怕也难以接受。基于上述理由，我们认为Fish Memory要得到实质性推广难度甚大，直到现在我们都还没有看到真正的Fish Memory产品出现。也许它非常人性化，也最符合消费者的利益，但与闪存业界的利益有冲突。

    [总结]

作为一个从属产业，闪存发展到今天的规模可称奇迹。数码市场的旺盛需求和高速发展态势成为最直接的推动力，在可预见的将来，这样的趋势还将继续，闪存市场会变得越来越庞大。面对前所未有的机遇，所有闪存芯片和闪存卡厂商都竭尽全力提升自身的技术水平，以图在竞争中占据有利地位。从目前来看，三星和AMD两家企业是市场上的最大赢家，二者分别在NAND与NOR型闪存领域，未来的竞争很可能在这两大巨头之间展开。凭借第二代MirrorBit技术，AMD完全有机会在NOR型闪存市场继续扩大优势，Intel仅依靠90纳米工艺很难抢得优势。同时，ORNAND技术让AMD可以大举进入NAND市场，以获得更广阔的发展空间。

与此类似，三星公司凭借60纳米技术将在NAND领域把竞争对手远远甩在后头，并以“OneNAND”技术渗透入自己未曾涉及的NOR市场。在芯片制造方面，新工艺会得到积极的应用，Reveo所提出的三维存储芯片虽然理念前卫，但它超越了实际的需求，更现实的芯片堆叠封装技术则会被业界广泛接纳。在闪存卡标准方面，混乱的格局仍然难以打破，设计完美的Fish Memory恐怕很难实现勃勃野心。在未来的一段时间内，各个厂商各自为政、在自己的王国中进行按部就班技术提升的局面将得到延续。