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三星2nm工艺弯道超车台积电 专家表态:真不行
2023-05-05 20:25:13  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

快科技5月5日消息,对于立志要在2030年成为全球半导体市场老大的三星来说,他们在内存及闪存上的竞争力没有问题,但在逻辑芯片制造上大幅落后于台积电,特别是先进工艺,为此三星希望在5年内超越台积电。

该公司高管表示,在4nm节点,三星落后台积电2年时间,3nm节点大约落后1年,但是三星的2nm工艺得到了客户的认可,后者对他们的GAA晶体管技术很满意,几乎所有大公司都在与三星合作。

但是三星5年赶超台积电的目标没有得到所有人的认可,台湾智库的研究员、总监刘佩真就不看好三星,他认为三星去年6月份就宣布了3nm GAA工艺量产,但是良率提升很慢,以致于三星争取到客户非常有限。

三星虽然通过降价等策略抢了一部分客户,比如AMD或者谷歌的4nm订单,但这些客户依然是依赖台积电代工,他们在良率及稳定性上还是要比三星高的。

在晶圆代工市场上,台积电的份额高达58.5%,三星位列第二,但份额只有15.8%,三星想弯道超车台积电,还有很长一段路要走。

三星2nm工艺弯道超车台积电 专家表态:真不行

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