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淘汰FinFET 升级革命性GAA晶体管:台积电重申2025量产2nm
在今天的说法会上,台积电透露了新一代工艺的进展,3nm工艺已经开始量产,2023年放量,有多家客户下单,再下一代的是2nm工艺,台积电CEO重申会在2025年量产。
与3nm工艺相比,台积电2nm工艺会有重大技术改进,放弃FinFET晶体管,改用GAA晶体管,后者是面向2nm甚至1nm节点的关键,可以进一步缩小尺寸。
相比3nm工艺,在相同功耗下,2nm速度快10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%。
不过2nm工艺的晶体管密度可能会挤牙膏了,相比3nm只提升了10%,远低于以往至少70%的晶体管密度提升。
台积电的2nm工艺应该还是会由苹果首发,今年的A16是4nm,明年的A17及后年的A18应该都是3nm,2025年的A19芯片才有可能用上2nm工艺。
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