SK海力士:正积极争取为无锡存储工厂引进EUV光刻机
2021-11-23 16:04:38 出处:快科技 作者:
万南 编辑:万南
评论()
本月22日,韩国半导体工业协会成立30年纪念活动在首尔举办。
与会期间,SK海力士CEO Seok-hee Lee(李锡熙)和媒体交流时谈到了无锡海力士半导体工厂相关情况。
关于EUV光刻机进厂可能延期的问题,李锡熙表示,正与美方合作,进展良好。EUV光刻技术已经在韩国本土的DRAM产线上应用,中国工厂还有充足的时间供斡旋沟通。
据悉,SK海力士将基于EUV光刻机制造10nm DRAM芯片,也就是第四代内存。无锡工厂同样计划应用相关技术,目前正寻求多种途径克服困难,毕竟它是一家韩国企业。
资料显示,无锡海力士工厂的DRAM产能大约占SK海力士全球产能的15%。
【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技
责任编辑:万南文章纠错
给作者大大一些小奖励