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SK海力士冲击16层堆叠内存:1平方毫米打10万个孔
2020-02-12 16:10:30  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接

SK海力士宣布,已经与Xperi Corp旗下子公司Invensas签订新的专利与技术授权协议,获得了后者DBI Ultra 2.5D/3D互连技术的授权。

DBI Ultra是一种专利的裸片-晶圆(die-wafer)混合键合互连技术,每平方毫米的面积里可以容纳10万个到100万个互连开孔,孔间距最小只有1微米,相比每平方毫米最多625个互连开孔的传统铜柱互连技术,可大大提高传输带宽。

DBIUltra使用化学键合来连接不同的互联层,也不需要铜柱和底层填充,因此不会增加高度,从而大大降低整体堆叠高度,释放空间,可将8层堆叠翻番到16层堆叠,获得更大容量。

虽然它要使用新的工艺流程,但是良品率更高,也不需要高温,而高温正是影响良品率的关键因素。

SK海力士冲击16层堆叠内存:1平方毫米打10万个孔

SK海力士冲击16层堆叠内存:1平方毫米打10万个孔

和其他下一代互连技术类似,DBI Ultra也灵活支持2.5D、3D整合封装,还能集成不同尺寸、不同工艺制程的IP模块,因此不但可用来制造DRAM、3DS、HBM等内存芯片,也可用于高集成度的CPU、GPU、ASIC、FPGA、SoC。

比如3D堆栈内存方案,可以是4层的DRAM,可以是4/8/12/16层的HBM2/HBM3并在底部整合逻辑电路。

比如3D集成方案,可以上方是4-16层堆叠HBM、下方是CPU/GPU/FPGA/SoC等逻辑单元。

比如2.5D集成方案,可以在基板上一边是4-16层堆叠HBM并通过逻辑电路接入基板,另一边则是CPU/GPU/FPGA/SoC等逻辑单元直接以DBI Ultra互连的方式接入基板。

SK海力士冲击16层堆叠内存:1平方毫米打10万个孔

SK海力士还未透露会将DBI Ultra封装技术用在哪里,但是DRAM、HBM显然是最佳选择。

SK海力士冲击16层堆叠内存:1平方毫米打10万个孔

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