2019年智能手机的闪存容量进一步提升，中高端手机基本上是128GB起步，高端会上512GB，个别产品顶配直接上1TB容量了。按照这个趋势下去，明年1TB容量的手机会更多，因为SK海力士现在已经开始出货1TB UFS 3.1闪存给手机厂商，堆栈层数达到了128层。

今年6月份，SK海力士全球首发128层堆栈的4D闪存，本质上还是3D闪存，4D闪存就SK海力士自己这么叫，所谓4D是指单芯片四层架构设计，结合了3D CTF(电荷捕获闪存)设计、PUC(Peri. Under Cell)技术，后者是指制造闪存时先形成外围区域再堆叠晶胞，有助于缩小芯片面积。

此外，SK海力士的128层4D闪存还实现了业内最高的闪存垂直堆叠密度，单颗芯片集成超过3600亿个闪存单元，每一个可存储3个比特位，为此SK海力士应用了一系列创新技术，比如超同类垂直蚀刻技术、高可靠性多层薄膜单元成型技术、超快低功耗电路技术，等等。

同时，新的128层4D闪存单颗容量1Tb(128GB)，是业内存储密度最高的TLC闪存，每颗晶圆可生产的比特容量也比96层堆叠增加了40％。

SK海力士官方今天表示1TB容量的UFS 3.1闪存已经出样给手机厂商，预计明年下半年的5G手机就会用上这种大容量+超高速的UFS闪存。

从这款产品开始，SK海力士也会把闪存重点转向5G手机，目前中国市场上正在大力推动5G，存储芯片市场有望从中受益，毕竟5G速度更快，下载、保存的数据量也更高，对手机容量要求更高。