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SK海力士128层4D闪存出货:手机能上1TB容量、UFS 3.1极速
2019-11-20 17:44:39  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞   点击可以复制本篇文章的标题和链接

2019年智能手机的闪存容量进一步提升,中高端手机基本上是128GB起步,高端会上512GB,个别产品顶配直接上1TB容量了。按照这个趋势下去,明年1TB容量的手机会更多,因为SK海力士现在已经开始出货1TB UFS 3.1闪存给手机厂商,堆栈层数达到了128层。

今年6月份,SK海力士全球首发128层堆栈的4D闪存,本质上还是3D闪存,4D闪存就SK海力士自己这么叫,所谓4D是指单芯片四层架构设计,结合了3D CTF(电荷捕获闪存)设计、PUC(Peri. Under Cell)技术,后者是指制造闪存时先形成外围区域再堆叠晶胞,有助于缩小芯片面积。

此外,SK海力士的1284D闪存还实现了业内最高的闪存垂直堆叠密度,单颗芯片集成超过3600亿个闪存单元,每一个可存储3个比特位,为此SK海力士应用了一系列创新技术,比如超同类垂直蚀刻技术、高可靠性多层薄膜单元成型技术、超快低功耗电路技术,等等。

同时,新的1284D闪存单颗容量1Tb(128GB),是业内存储密度最高的TLC闪存,每颗晶圆可生产的比特容量也比96层堆叠增加了40

SK海力士128层4D闪存出货:手机能上1TB容量、UFS 3.1极速

SK海力士官方今天表示1TB容量的UFS 3.1闪存已经出样给手机厂商,预计明年下半年的5G手机就会用上这种大容量+超高速的UFS闪存

从这款产品开始,SK海力士也会把闪存重点转向5G手机,目前中国市场上正在大力推动5G,存储芯片市场有望从中受益,毕竟5G速度更快,下载、保存的数据量也更高,对手机容量要求更高。

SK海力士128层4D闪存出货:手机能上1TB容量、UFS 3.1极速

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