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SK海力士全球首个量产128层堆叠4D闪存:冲击176层
2019-06-26 17:21:26  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接

SK海力士宣布,已经全球第一家研发成功并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片,此时距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。

SK海力士由此实现了业内最高的闪存垂直堆叠密度,单颗芯片集成超过3600亿个闪存单元,每一个可存储3个比特位,为此SK海力士应用了一系列创新技术,比如超同类垂直蚀刻技术、高可靠性多层薄膜单元成型技术、超快低功耗电路技术,等等。

同时,新的128层4D闪存单颗容量1Tb(128GB),是业内存储密度最高的TLC闪存,每颗晶圆可生产的比特容量也比96层堆叠增加了40%。

虽然包括SK海力士在内多家厂商都研发出了1Tb QLC闪存,但这是TLC闪存第一次达到单颗1Tb。TLC目前占闪存市场规模的超过85%,可靠性和寿命都优于QLC,当然被其取代也是早晚的事儿。

其他规格方面,新闪存可以在1.2V电压下实现1400Mbps的数据传输率,可用于高性能、低功耗的手机存储、企业级SSD。

SK海力士全球首个量产128层堆叠4D闪存:冲击176层

SK海力士的4D NAND闪存技术是去年10月份官宣的,所谓4D是指单芯片四层架构设计,结合了3D CTF(电荷捕获闪存)设计、PUC(Peri. Under Cell)技术,后者是指制造闪存时先形成外围区域再堆叠晶胞,有助于缩小芯片面积。

利用这种架构设计,SK海力士在从96层堆叠到128层堆叠时,虽然层数增加了三分之一,但是制造工艺步骤减少了5%,整体投资也比之前减少了60%。

SK海力士全球首个量产128层堆叠4D闪存:冲击176层

SK海力士将在今年下半年批量出货128层1Tb 4D闪存,并开始一系列相关产品研发:

明年上半年开发下一代UFS 3.1存储,将1TB大容量手机所需的闪存芯片数量减半,同时封装厚度控制在1毫米左右,功耗降低20%。

明年上半年量产2TB消费级SSD,自研主控和软件。

明年发布16TB、32TB NVMe企业级SSD。

SK海力士还透露,正在研发176层堆叠的下一代4D NAND闪存。

SK海力士全球首个量产128层堆叠4D闪存:冲击176层

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