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快科技10月22日消息，近日美光在2026年度技术网络研讨会上预告了其下一代G11 NAND闪存产品。 该产品堆叠层数突破400层，采用晶圆对晶圆键合技术，按面积计算的存储密度约为现有276层G9 NAND的2
快科技10月22日消息，据报道，美光近日在2026年OCP峰会上公布下一代存储技术路线图，覆盖DDR6、LPDDR6、vHBM及G11 NAND四大方向，多项指标较上代实现翻倍级提升。 DDR6的带宽预计达到DDR5的两
快科技10月21日消息，据报道，面对中国竞争对手长江存储的快速崛起以及AI带来的巨大存储需求，三星电子与SK海力士正在升级其中国工厂，以生产更先进的NAND闪存芯片。 这一升级的核心，是将中
快科技10月20日消息，据论坛爆料者Kepler_L2在NeoGAF上提供的信息，PlayStation 6的内存加闪存成本合计将超过680美元（快科技注：约4552元人民币），这意味着即将推出的次世代主机在零售价上很可
快科技10月18日消息，内存及闪存是过去一年中涨价最猛的存储芯片，也造就了美国日本韩国多家存储芯片巨头的股价奇迹，一年间涨了数十倍的比比皆是。 然而最近这些公司不太顺，不仅美国的美光、
快科技10月16日消息，据报道，SK海力士正近期与美国政府磋商，希望通过旗下美国子公司Solidigm获得向中国大连工厂出口更多美国芯片制造设备的许可，并将此与在美国新建NAND闪存工厂的计划挂钩。
快科技9月21日消息，知名测试机构HOMOLAB对1TB版iPhone 18 Pro Max进行了存储性能实测，结果显示该机型在持续高负载写入场景下闪存速度大幅下降，甚至低于部分入门级microSD卡。 据悉，1TB版iP
快科技9月18日消息，据报道，国产DRAM芯片制造商长鑫存储正准备进入NAND闪存市场，计划在北京新工厂建设一条NAND闪存研发生产线，并已设立研究院开展NAND开发项目。 报道称，长鑫存储已与客户就
快科技9月14日消息，据Digitimes报道，近期业界陆续收到上游存储器原厂的“友善通知”，明确转达2027年出货量将大幅紧缩，DRAM供需缺口非常大，甚至原厂2027至2028年产能几乎都被预订
快科技9月10日消息，内存、闪存两大存储芯片已经涨了一年整了，内存整体涨幅5-10倍，闪存3-5倍之间，大家都在担心价格还会继续大涨，但铠侠已经率先出来喊话涨够了。 铠侠就是之前的东芝存储芯
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