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SK海力士公布800+层堆栈闪存路线图 SSD硬盘杀向200TB
2019-08-09 10:42:44  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞   点击可以复制本篇文章的标题和链接

前两天三星也推出了136层堆栈的第六代V-NAND闪存,之前的6月份韩国SK海力士公司也宣布研发成功并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片。不过这些还不是堆栈闪存的极限,SK海力士预计在2030年推出800+层的闪存,可以轻松制造出100-200TB容量的SSD硬盘。

在日前的FMS国际闪存会议上,SK海力士公布了他们的闪存路线图,具体如下:

·V4 72层堆栈:目前大规模量产中

·V5 96层堆栈:目前也在大规模量产中,产能即将超越V4

·V6 128层堆栈:2019Q4季度即将规模量产

·V7 176层堆栈:2020年问世

·500层堆栈:2025年问世,TB/wafer容量比提升30%

·800+堆栈:2030年问世,TB/wafer容量比提升提升到100-200TB

目前SK海力士生产的128层堆栈闪存核心容量是1Tbit176层堆栈时核心容量1.38Tbit,预计500层堆栈时核心容量可达3.9Tbit,到800层堆栈时则会高达6.25Tbit,是现在的6倍多。

当前SSD硬盘最大容量在15-16TB左右,不过三星早就有30TB以上的SSD硬盘了,按照6倍核心容量的增长来算,未来SSD硬盘未来容量可达200TB左右,这个容量要比HDD硬盘还高了,之前希捷公布的HDD硬盘路线图显示未来在HAMR等先进技术支持下,HDD硬盘也能达到100TB容量,不过那至少是2025年之后的了。

SK海力士公布800+层堆栈闪存路线图 SSD硬盘杀向200TB

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