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三星14nm狂拼台积电16nm:同时出绝招
2016-01-21 23:58:00  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接

三星14nm FinFET、台积电16nm FinFET两大工艺的竞争可谓空前惨烈,从合伙代工苹果A9,到争抢各路订单,杀得好不热闹。

据韩国媒体称,为了进一步提高竞争力,两家都在准备推出新工艺的第三代版本。

台积电的第一代16nm工艺是FinFET(FF)标准版,之后推出了FinFET Plus(FF+)增强版。

此外,台积电还已经完成了FinFET Compact(FFC)的研发设计,将在本季度内投入量产,比原计划提前了几乎半年。

它主要针对中低端移动设备、可穿戴、物联网应用等领域,会引入新的电气特性设计,成本和功耗更低。

三星这边的14nm最初是Low Power Early(LPE),造出了名满天下的Exynos 7420,而即将诞生的Exynos 8890、骁龙820使用的都是第二代Low Power Plus(LPP),漏电率减少了15%。

接下来,三星也将推出第三代14nm。

三星System LSI部门的市场副总裁Bae Young-chang透露说:“我们会紧跟着第二代14nm工艺开发一个衍生版本,继续引领移动芯片和代工市场。”

新工艺的具体细节不详,不知道会不会和台积电16nm FFC定位类似,主打低功耗智能设备。

三星14nm狂拼台积电16nm:同时出绝招

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