虽然在16nm FinFET工艺上落后于三星甚至Globalfoundries的14nm FinFET工艺，但TSMC称自己研发新工艺的决心是不会变的，而且未来会缩短与Intel公司的工艺差距。

16nm工艺之后就是10nm工艺了，TSMC已经在跟多个客户联合设计10nm产品了，预计2017年量产。

Guru3d网站日前在TSMC技术讨论会上跟TSMC负责基础设施建设的资深总监Suk Lee做了交流，双方谈到了TSMC公司的制程工艺进展。TSMC公司联席CEO、总裁Mark Liu（刘德音）提到16nm工艺之后10nm工艺会快速跟进，而Suk Lee也表示他们的10nm工艺正在进行当中，已经完成了超过35个使用ARM CPU核心的EDA工具的认证工作。

此外，他们在10nm工艺上提前6个月就跟用客户开始IP验证工艺了，目前已经有10家客户正在合作10nm产品了。TSMC将在2015年底前完成认证工作，正在与客户合作流片，以及2017年大规模量产。

10nm之后就是7nm了，Suk Lee表示不方便评论特定工艺，不过TSMC已经有团队在研发10nm之后的工艺了，预计7nm工艺会在2017-2019年期间才能问世。

巧合的是，Intel对10nm工艺的预计量产时间也是在2017年，如果顺利的话，TSMC届时就能跟Intel最新工艺同步了。Intel去年就量产了14nm工艺，早在2012的IVB处理器上就用了FinFET晶体管，而TSMC的16nm FinFET工艺预计今年下半年才量产。