被称为“TicK-TocK”的Intel发展战略无疑非常成功，稳健的技术发展步伐就像一部马力强劲的发动机不断推动Intel前进，并且在发展过程中保证制程和微架构两方面都能做到业界领先，把握住这两点优势，Intel便已立于不败之地。

是否已经习惯了Intel的“Tick—Tock”发展策略？

凭借着自家工厂以及得天独厚的研发实力，Intel一直都在制造工艺方面将对手AMD牢牢甩在身后。AMD在2011年终于凭借着Llano APU以及推土机FX处理器在制造工艺上赶上了Intel的32nm，但相信内行的朋友一眼就能够看出AMD的32nm制造工艺在成熟度方面完全不能与Intel 相提并论。更让AMD雪上加霜的是Intel在今年就会全面迈入22nm制造工艺时代，而AMD方面在明年才能够进入28nm的过渡期，22nm还远着呢。值得一提的是Intel的芯片工厂在满足自家产品需求的同时还能够为其它厂商提供代工，而AMD则一直受到32nm产能不足的困扰，去年Llano APU雷声大，雨点小就是很明显的例子。

Ivy Bridge所使用的22nm晶圆

代号为Ivy Bridge的Intel第三代Core家族处理器将会全线采用22nm工艺制造，并且首次加入了此前曾经数次提到过的3D晶体管技术。这对于普通用户来说具有很大实际意义，一方面全新的制造工艺能够让制造成本进一步降低，也就让新处理器的售价能够保持在用户可接受的范围之内，未来说不定还会有更充分的降价的空间（这要看AMD是否给力了）；另一方面22nm制造工艺相对32nm工艺来说会有更低的发热量的更高的能耗比，可以降低用户在散热、供电等方面的投资，平台的整体成本进一步得到了控制。

3D晶体管代表了晶体管技术本质上的转变，晶体管通道增加到第三维度，电流是从通道的三面来控制的，而不像传统平面晶体管，只从顶部控制。就像摩天大楼通过向天空发展而使得最大限度地利用城市空间，3-D三栅极晶体管结构同样提供了一种提高晶体管密度的创新方法。

其结果是能更好的控制晶体管的开关、最大程度有效利用晶体管开启状态时的电流（实现最佳性能），并在关闭状态时最大程度减少电流（降低漏电）。与之前的平面晶体管相比，22纳米的3-D三栅极晶体管将提供前所未有的高性能和能效。与之前的32纳米平面晶体管相比，22纳米3-D三栅极晶体管在低电压下将性能提高了37%，并且只需要消耗不到一半的电量，就能达到与32纳米芯片中二维平面晶体管一样的性能。

Ivy Bridge架构示意图

采用22nm 制造工艺的Ivy Bridge在架构方面与前辈Sandy Bridge基本相同，在相同架构的前提下，Ivy Bridge的核心面积能够控制在Sandy Bridge的75%左右。其中四核心八线程设计并搭配HD Graphics 4000系列核芯显卡的Ivy Bridge Core i7系列处理器大约集成有14亿个晶体管，但核心面积仅为160mm2；相比较之下Sandy Bridge Core i7系列大约集成了9.95亿个晶体管，核心面积为216 mm2；而AMD的推土机系列最多集成20亿个晶体管，核心面积315 mm2。

图中Sandy Bridge和Ivy Bridge的核心照片采用同样比例尺，选择的Ivy Bridge和Sandy Bridge均为4核心/8MB L3缓存的版本。Ivy Bridge的GPU核心规模由Sandy Bridge的最大12个EU（执行单元）上升至16个。在整体构成相似，GPU性能上升的情况下，Sandy Bridge的核心面积为216mm2，Ivy Bridge的核心面积为160mm2约是前者的74%。

只计算CPU核心和L3缓存的面积，Ivy Bridge大约是Sandy Bridge的60%左右。理论上来讲，制程提高一个级别面积最大可缩小至原有水平的50%左右，但实际情况毕竟有别的因素干扰，Intel的近几代产品尚未接近过这一数值。