快科技8月31日消息，SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片（Base Die）的生产交由英特尔代工，以减少对台积电晶圆代工的过度依赖。该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始逐步推进。

在HBM3E及此前世代，SK海力士一直采用内部产线生产基底芯片。然而，随着基础裸片对逻辑功能与性能要求的持续提升，自HBM4起，公司已转由台积电代工，目前量产中的HBM4基础裸片采用台积电12纳米级工艺。

业内分析指出，在HBM4方案中，台积电代工的基础裸片价格，已高达SK海力士自身10nm级第五代工艺所产核心芯片的3至4倍。预计到HBM4E阶段，这一成本负担将进一步加重。

与此同时，由于HBM产品多采用长期供货合同（LTA）模式，占比极高，SK海力士短期内难以将代工成本上涨直接转嫁至终端售价。因此，建立多供应商体系、增强价格谈判能力，已成为其供应链战略的必然选择。

若英特尔成功加入供应链，SK海力士不仅有望降低单位成本、提升供应稳定性，还能有效分散地缘与产能风险，减少对单一代工厂的依赖。

SK海力士目前正积极评估台积电CoWoS-S、CoWoS-L及英特尔EMIB等多种封装方案，以期在异构集成与系统级性能优化上获得更多技术选择与议价空间。这或将为HBM生态链的多元化发展打开新窗口。