快科技7月1日消息，据媒体报道，三星首席技术官在近日举行的DS（器件解决方案）部门内部经营说明会上透露，其下一代高带宽存储器HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。

业界通常将80%以上视为工艺成熟的“稳定良率”门槛，而HBM4E目前仍处于可靠性测试阶段，70%以上的水平被认为标志着开发进程已正式进入稳定区间。

在同一场合，该首席技术官还表示，三星在下一代10纳米级第七代DRAM工艺（D1d）上已取得相较于竞争对手的技术优势，并计划于今年11月完成生产准备认证（PRA）。

此前，三星已向主要客户交付了业界首批12层48GB HBM4E样品。据三星介绍，作为HBM4的迭代升级产品，12层HBM4E采用第六代10纳米级DRAM工艺（1c）及三星晶圆代工的4nm逻辑基片，在性能、容量、能效与散热方面均实现显著提升，主要面向大模型、生成式AI及高性能计算等场景。

与HBM4相比，HBM4E可提供稳定的14 Gbps引脚传输速度，并可扩展至16 Gbps，以满足日益增长的数据处理需求。整体性能提升超过20%，每个堆栈的内存带宽高达3.6 TB/s，有助于最大化大模型及下一代AI系统的计算潜力。

容量方面，HBM4E提供48GB，较上一代产品增加30%以上。三星还计划根据客户需求扩展产品线，包括32GB（8层）和64GB（16层）配置。

此外，得益于低功耗设计与封装工艺优化，产品能效提升了16%，热阻改善了超过14%，散热效率显著增强，有助于降低AI数据中心在高负载下的能耗。