作者私密文章，无浏览权限
因版权限制，过往内容只提供给老鸟级别及以上用户访问
快科技7月11日消息，在IEEE 2026电子元件与技术大会（ECTC）上，英特尔全面展示了下一代封装解决方案EMIB-T。 EMIB原本采用嵌入式硅桥在局部实现高密度互连，EMIB-T则在硅桥中引入硅通孔实现垂
快科技7月10日消息，据美国银行全球研究部最新估算，英伟达下一代Rubin Ultra Kyber机架预估售价高达2100万美元（约合人民币1.42亿元）。 值得一提的是，仅HBM4e内存一项成本就飙升至153.4万美
快科技7月6日消息，据报道，三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。 混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。行业分析
快科技7月2日消息，三星电子近日提交了一项新型半导体封装专利，专利号为KR20260040407A。该专利针对高堆叠HBM4E与HBM5制程中的可靠性瓶颈实施结构革新。 行业正从8层向16层乃至更高堆叠迈进，
快科技7月1日消息，据媒体报道，三星首席技术官在近日举行的DS（器件解决方案）部门内部经营说明会上透露，其下一代高带宽存储器HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。 业界通常将80%以上视为
快科技6月18日消息，SK海力士宣布，已向主要客户交付新一代AI专用DRAM——HBM4E的12层堆叠样品。 SK海力士表示：“凭借长期积累的HBM先导研发能力与量产经验，我们成功向客户提
快科技6月4日消息，在今年的台北国际电脑展（COMPUTEX）上，SK海力士展出了HBM4E 48GB 12Hi样品。 该内存基于12层堆叠的32Gb 1cnm DRAM Die，引脚速率达16.0Gbps，单堆栈带宽高达4.0TB/s。 SK
快科技5月29日消息，三星电子宣布，已开始向全球主要客户交付业内首批12层48GB HBM4E样品。 在完成初步样品交付与优化后，三星计划根据客户的具体进度安排，启动HBM4E的量产工作。 HBM（高带宽
快科技4月22日消息，三星在高端内存领域的追赶步伐遭遇重大挫折。由于关键基础技术D1d DRAM的良率未能达到内部设定目标，三星已决定无限期推迟下一代HBM5E内存的量产计划。 此次出问题的D1d DR
快科技4月17日消息，据媒体报道，三星正全力推进下一代高带宽内存（HBM）产品的研发进程，力求在高端AI内存市场进一步巩固自身优势。 据媒体报道，三星电子计划最早于2026年5月生产出首批符合英
复制链接
QQ
微博
微信
QQ空间
豫公网安备 41010502003949号