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台积电:A14进展顺利良率表现优于预期!性能较N2提升15%
2025-09-25 10:08:02  出处:快科技 作者:黑白 编辑:黑白     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接复制对文章内容进行纠错纠错

快科技9月25日消息,近日,台积电公布了其下一代A14(1.4nm)工艺的最新进展,称其进展顺利,良率表现优于预期。

除了良率,A14工艺在性能和能效方面相较于N2工艺有着显著的提升,具体来说,A14性能比N2快15%,功耗降低了30%。

台积电:A14进展顺利良率表现优于预期!性能较N2提升15%

台积电计划在A14工艺中采用第二代GAAFET纳米片晶体管和全新的NanoFlex Pro标准单元架构,这些技术的应用将使芯片密度比N2工艺提升高达20%。

台积电:A14进展顺利良率表现优于预期!性能较N2提升15%

这意味着在相同的芯片面积上,可以容纳更多的晶体管,从而实现更高的计算能力和更低的功耗。

目前,台积电预计A14工艺将在2028年进入量产阶段,苹果、英伟达和AMD等大客户也将采用这一新工艺,A14有望在未来几年内成为推动消费电子产品性能提升的关键力量。

【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技

责任编辑:黑白

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