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三星HBM4逆袭成功:祭出顶级1c工艺 性能暴涨37%
2025-09-21 20:43:58  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接复制对文章内容进行纠错纠错

快科技9月21日消息,在HBM内存市场上,原来的内存一哥三星大大落后于SK海力士和美光,是第三家实现量产的,但在HBM4上三星志在必得。

日前有消息称三星的HBM3e在量产18个月后终于获得了NVIDIA的认证,再加上之前获得了AMD的认证,现在也算是拿到了供货的凭证。

不过考虑到SK海力士已经在HBM3e上占据先发优势,三星恐怕很难抢到多少市场,他们的目标实际上放在了最新的HBM4内存上。

前不久SK海力士宣布全球首发量产HBM4,但他们使用的还是第五代10nm级工艺1b,三星直接把最先进工艺用于HBM4了,在平泽的P5工厂直接上马了第六代10nm级DRAM工艺——1c工艺。

三星HBM4逆袭成功:祭出顶级1c工艺 性能暴涨37%

凭借1c工艺以及4nm逻辑工艺上的积累,三星将HBM4的频率做到了11Gbps,这意味着它比标准版HBM4的8Gbps性能提升了37.5%。

NVIDIA为了对抗AMD明年的MI450系列AI显卡,正在要求供应商将HBM4的频率提升到10Gbps,三星率先做到11Gbps,显然有助于他们获得NVIDIA的订单。

现在三星算是在技术上先逆袭了,不过最终能不能拿下NVIDIA及AMD的订单,还得看后续,包括产能及定价。

三星HBM4逆袭成功:祭出顶级1c工艺 性能暴涨37%

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