快科技5月4日消息，上个月，台积电在北美技术研讨会上发布了其最先进的A14工艺（1.4nm级），从命名到技术直接对标Intel 14A，后者同样号称1.4nm级工艺。

台积电承诺该技术将在性能、功耗和晶体管密度方面，相较于其N2（2nm级）工艺带来显著提升。

台积电声称，A14计划于2028年投产，目前开发进展顺利，良率已提前实现。ps. Intel 14A预计都将在2027年投入风险性试产，顺利的话2028年就能量产。

随后，Tom's Hardware专访了台积电业务开发资深副总裁张晓强，后者详细分享了台积电的3大技术路线。

据了解，台积电将提供不同领先制程技术，再根据各细分市场进行客制化，成为“所有人的晶圆代工厂”（Everyone's Foundry）。

换而言之，为了满足不同市场需求，台积电将提供多种领先的制程技术，并围绕三种方向调整其技术路线，分别是——先进的晶体管扩充、电源传输优化，以及多芯片（multi-chiplet）系统整合。

首先是追求最大晶体管密度、最高性能效率。

针对智能手机与PC这类产品，台积电将提供N3P、N2、N2P与A14制程技术，针对“每瓦性能”进行最佳化，同时避免背面供电（backside power delivery）的复杂性与成本，使得移动与消费SoC在面积效率与电池续航间取得最佳平衡。

其次是以合理成本提供最佳电源，实现最高性能效率。

对于功耗一千瓦以上的数据中心处理器，台积电计划2026年底推出配备晶背供电（BSPDN）的A16，随后在2029年推出配备超级电轨技术（Super Power Rail，简称SPR）的A14。

第三是适用数据中心的多芯片封装解决方案

为满足数据中心等级AI基础设施对多芯片封装解决方案需求增加，台积电已扩展其先进封装技术组合，涵盖硅光子与嵌入式电源组件，打造一体化、高带宽、节能的系统方案。

谈到摩尔定律是否已死？ 张晓强认为，制程从5nm发展到A14，目前看到的趋势是，每代功耗效率降低约30%，并以每代20%左右的速度提高晶体管密度，效能则提升15%，与过往的进展基本上是一致的。

展望A14以下制程，张晓强表示台积电也有信心延续这个趋势，“从N2到A16的转变相当大，台积电完全有信心在2028年实现A14量产，实现大幅微缩，帮助客户受益于制程技术本身的进步优势。”

A14是台积电的下一代制程技术。台积电称，其表现将明显超越当前最先进的3nm制程，以及今年晚些时候即将量产的2nm制程。

据台积电公布的数据显示，与N2工艺相比，A14将在相同功耗下实现高达15%的速度提升，或在相同速度下降低高达30%的功耗。

展望未来，台积电还计划依次推出A14P、A14X、A14C等多种版本的衍生制程，其中， A14P是包括背侧电力供应在内的高性能版本，A14X和A14C将分别以性能最优化型和成本节省型模式进行优化。

此外，台积电还计划在2026年底推出A16（1.6nm级）制程技术。