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三星听了太心酸!SK海力士:HBM研发速度已超英伟达要求
2025-01-10 17:32:35  出处:快科技 作者:黑白 编辑:黑白     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

快科技1月10日消息,SK海力士会长崔泰源透露,公司研发HBM内存的速度,如今已超越英伟达要求。

据韩国媒体报道,崔泰源在CES上提及与黄仁勋当日稍早的会面时表示,“直到最近,SK海力士开发HBM的速度都还落后英伟达要求,因此他们希望我们能加快脚步。”

不过他补充道:“我们现在的研发速度已略高于英伟达要求。”“尽管这可能会有所变化,但我们现在正以可比的速度开发。”

目前SK海力士正向英伟达独家供应HBM,去年3月率先供应第五代8层HBM3E产品,同年10月全球首次量产12层堆叠的HBM3E内存。

SK海力士稍早的时候还表示,2025年规划的HBM产能已全部售罄,其中英伟达是最大的客户。

反观韩国另一家存储巨头三星电子,其HBM产品迟迟未能通过英伟达的验证,而且黄仁勋近日才表示,三星电子必须“重新进行设计(has to engineer a new design)”,才能通过英伟达对其HBM的验证程序。

三星听了太心酸!SK海力士:HBM研发速度已超英伟达要求

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