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海力士抢先展示UFS 4.1闪存:基于V9 TLC NAND颗粒打造
2024-08-09 12:40:38  出处:快科技 作者:无痕 编辑:无痕     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

快科技8月9日消息,在FMS 2024峰会上,SK海力士展示了其最新的存储产品,包括尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存。

海力士抢先展示UFS 4.1闪存:基于V9 TLC NAND颗粒打造

据JEDEC固态技术协会官网信息,目前公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS 4.0,其理论接口速度高达46.4Gbps,预计UFS 4.1将在传输速率上实现进一步的提升。

海力士抢先展示UFS 4.1闪存:基于V9 TLC NAND颗粒打造

海力士此次展示了两款UFS 4.1通用闪存产品,容量分别为512GB和1TB,均基于321层堆叠的V9 1Tb TLC NAND闪存

此外,SK海力士还首次展出了容量业界领先的3.2Gbps V9 2Tb QLC以及3.6Gbps高速V9H 1Tb TLC颗粒。

此外,海力士还展出了可提升数据管理效率的ZUFS(分区UFS,Zoned UFS)样品,这些产品基于V7 512Gb TLC NAND,提供512GB和1TB两种容量。ZUFS 4.0产品预计将于今年第三季度进入量产阶段。

随着UFS 4.1通用闪存的推出,预计将进一步推动智能手机和移动设备性能的提升。

海力士抢先展示UFS 4.1闪存:基于V9 TLC NAND颗粒打造

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责任编辑:无痕

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