快科技12月14日消息，据媒体报道，在近日的IEEE国际电子元件会议上，台积电表示已经全面展开1.4nm级工艺制程研发，预计将于2027-2028年之间量产，并将命名为A14。

台积电还表示，在3nm制程工艺量产后就开始研发2nm制程工艺，计划在2025年正式量产2nm工艺，N2P制程工艺也将在2026年年底量产。

在技术方面台积电并没有透露具体会使用何种技术，但报道表示A14节点不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术。

因此A14可能将像N2节点一样，依赖于台积电第二代或第三代环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）技术，不过台积电仍在探索CFET技术。

同时A14和N2节点类似，都需要系统协同优化，才能真正发挥作用，并实现新的性能和功耗水平。

此外，目前也不清楚台积电是否计划为A14制程采用High-NA EUV光刻技术，考虑到届时英特尔将采用和完善孔径为0.55的EUV光刻机，台积电使用这些机器应该还是比较容易。

当然，目前的这些还都只是计划，可能还会有很多变化，因此现在还不能做出太多假设。