11月27日消息，近日有着“浸润式光刻之父”之称的林本坚（Burn Lin）在接受采访时表示，依靠DUV光刻机继续将制程工艺从7nm推向5nm是可能，但是需要付出高昂的代价。

报道称，由于美日荷对华半导体设备的限制，使得中国不仅难以获得可以制造先进制程的半导体设备，同时更为先进的EUV光刻机也无法获得。这也使得中国继续将制裁工艺推进到5nm将会面临困境。

不过，林本坚表示，依托现有的DUV光刻机（浸没式）制造出5nm芯片依然是可行的，但是至少需要进行四重曝光。不幸的是，这种工艺的缺点是不仅耗时，而且价格昂贵，还会影响整体良率。

特别是在使用 DUV 机器时，在多次曝光期间需要精确对准，这可能需要时间，并且有可能发生未对准的情况，从而导致产量降低和制造这些晶圆的时间大幅增加。

林本坚表示，浸没式DUV光刻技术最高可以实现六重光刻模式，可以实现更先进的工艺，但问题同样来自上述相关缺点。