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美光揭秘最先进1β内存:13nm工艺、无需EUV光刻机
2022-11-18 19:54:47  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

全球DRAM内存芯片主要垄断在三星、SK海力士及美光手里,三家的份额高达95%,同时技术也是领先的,美光前不久更是抢先宣布量产1β内存芯片,这是当前最先进的内存芯片。

内存工艺进入20nm节点之后,厂商的命名已经发生了变化,都被称为10nm级内存,但有更细节的划分,之前是1x、1y 和 1z三代,后面是1α,1β,1γ。

在1α,1β,1γ这三代中,三星在1α上就开始用EUV光刻工艺,但是代价就是成本高,美光现在量产的1β工艺就是最先进的。

美光揭秘最先进1β内存:13nm工艺、无需EUV光刻机

1β到底相当于多少nm?美光日前在日本举行了一次沟通会,介绍了1β内存的一些进展,指出它的工艺水平相当于13nm,而且美光依然没有使用EUV工艺,避免了昂贵的光刻机。

不使用EUV光刻,美光在1β内存上使用的主要是第二代HKMG工艺、ArF浸液多重光刻等工艺,实现了35%的存储密度提升,同时省电15%。

1β之后还有1γ工艺,估计会是12nm级别,制造难度更大,但美光依然没有明确是否使用EUV光刻机,他们的目标很可能是继续使用现有工艺改进,避免EUV光刻机的成本。

美光揭秘最先进1β内存:13nm工艺、无需EUV光刻机

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