摩尔定律已逼近物理极限，宽禁带半导体成为后摩尔时代半导体发展的“蹊径”之一，而在这一领域，国内企业有望实现弯道超车。

宽禁带半导体是指禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表，也称“第三代半导体”。

采用SiC、GaN材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。

据报道称，硅基氮化镓（GaN on Si）功率器件企业英诺赛科董事长骆薇薇近日在2022年ISES China峰会上表示，宽禁带半导体不属于先进工艺，对设备的依赖会小一点，其涉及的很多设备目前基本上可以在国内获得，核心设备后期也可以实现自主可控。“这是一个新赛道，我们有机会获得突破。”

目前Si仍是半导体材料主流，占比95%。Yole预测，第三代半导体渗透率将逐年上升，SiC渗透率在2023年有望达到3.75%，GaN渗透率在2023年达到1.0%。

赛迪顾问新材料产业研究中心首席分析师李龙近日在2022世界半导体大会上表示，第三代半导体行业总体来看还处于发展早期阶段，任何一个玩家若能实现技术突破，则可以改变目前的市场格局，第三代半导体也因此成为了相关企业换道超车的重要领域。

“目前SiC、GaN器件大规模商用的最大障碍还是产品性价比。”相关人士对第一财经表示，SiC二极管已经规模商用，SiC MOS器件国内部分企业实现技术突破，在大规模制造能力方面还需要持续优化。

GaN材料具备多重性能优势。首先，GaN可以进一步提高开关频率，这意味着可以减少系统材料的体积和面积，其次，GaN的高饱和电子浓度可以大幅降低导频损耗，实现小尺寸的功率器件设计。

GaN产业链玩家的分类与SiC类似，海外企业在GaN功率半导体技术及产能上较为领先，包括英飞凌、Qorvo等。