从技术竞争的角度来看，光芯片被认为是与国外研究进展差距最小的芯片技术，被寄予了中国“换道超车”的希望。

据报道，9月14日晚，我国科学家在国际顶级学术期刊《自然》发表了最新研究，首次得到纳米级光雕刻三维结构，在下一代光电芯片制造领域的获得重大突破。

这一重大发明，未来或可开辟光电芯片制造新赛道，有望用于光电调制器、声学滤波器、非易失铁电存储器等关键光电器件芯片制备，在5G/6G通讯、光计算、人工智能等领域有广泛的应用前景。

据介绍，南京大学张勇、肖敏、祝世宁领衔的科研团队，发明了一种新型“非互易飞秒激光极化铁电畴”技术，将飞秒脉冲激光聚焦于材料“铌酸锂”的晶体内部，通过控制激光移动的方向，在晶体内部形成有效电场，实现三维结构的直写和擦除。

这一新技术突破了传统飞秒激光的光衍射极限，把光雕刻铌酸锂三维结构的尺寸，从传统的1微米量级（相当于头发丝的五十分之一），首次缩小到纳米级，达到30纳米，大大提高了加工精度。