台积电今天不仅公布了Nanosheet碳纳米片技术的开山之作N2 2nm工艺，还展示了FinFET鳍式晶体管的终结之作N3 3nm工艺，发展出了多达五种不同版本，也是历代工艺中最丰富的。

N3

最早也是最标准的3nm，今年下半年投入量产，预计明年初可以看到产品上市。

它面向有超强投资能力、追求新工艺的早期客户，比如苹果、AMD这种，但是应用范围较窄，只适合制造特定的产品。

对比N5，功耗可降低约25-30％，性能可提升10-15％，晶体管密度提升约70％。

Ehanced增强版，近期就会风险性试产，明年年中规模量产，产品上市预计2023年底或2024年初。

它在N3的基础上提升性能、降低功耗、扩大应用范围，对比N5同等性能和密度下功耗降低34％、同等功耗和密度下性能提升18％，或者可以将晶体管密度提升60％——是的，它的密度反而低于N3。

台积电还称，N3E可以达到比N4X更高的频率，后者明年投产。

N3P

Performance性能增强版，细节不详。

N3S

密度增强版，细节不详。

N3X

超高性能版，不在乎功耗和成本，也是N4X的继承者。

值得一提的是，N3E工艺还可以根据客户需求定制栅极、鳍片数量，性能、功耗、面积指标也不一样，官方称之为“FinFlex”。

比如2个栅极1个鳍片，可以性能提升11％、功耗降低30％、面积缩小36％。

2个栅极2个鳍片，可以性能提升23％、功耗降低22％、面积缩小28％。

3个栅极2个鳍片，可以性能提升33％，功耗降低12％，面积缩小15％。

话题标签：台积电3nm工艺