背刺三星 台积电绕过2nm:直奔1.4nm去了
2022-05-17 18:50:45  出处:快科技 作者:万南 编辑:万南     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

台积电已经多次明确,3nm将在下半年规模投产。

不过,台积电的3nm依然延续的是FinFET(鳍式场效应)晶体管结构,而非三星那套难度更高的GAA晶体管。然而,台积电明显道行更深,知道当前制程节点命名混乱,谁的良率高显然更能占得先机。

而接下来,台积电似乎不打算糊弄了,甚至要绕过2nm,直奔1.4mm。

BK报道称,台积电3nm研发团队将在6月份全面转投1.4nm节点的开发工作。

对手三星在去年的代工会议上曾预期,2025年量产2nm,没想到又一次被台积电“背刺”了。

至于同样雄心勃勃的Intel,则打算2024年下半年生产1.8nm工艺产品。一场关乎摩尔定律荣耀的制程“军备竞赛”,再度拉开序幕了。

背刺三星 台积电绕过2nm:直奔1.4nm去了

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