西数将量产162层闪存:一块晶圆容量100TB
2022-05-16 21:09:31  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

西部数据宣布,与铠侠联合开发的BiCS NAND闪存将进入第六代,堆叠层数达到162层,今年即投入量产。

目前的3D NAND闪存已经纷纷堆到176层,美光日前更是宣布全球首个达到232层。

但是西数指出,自家的162层闪存单元尺寸更小,只有68平方毫米,小于竞品的69.6平方毫米或69.3平方毫米,因此存储密度更高,可以提供和竞品相同的单芯片容量。

西数表示,BiCS6 162层堆叠下,一块晶圆就可以做到100TB容量,而目前只有大约70TB。

性能方面,西数宣称自己拥有最好的电荷捕获(Charge Trap)型单元,性能可达60MB/s,比对手快了一半。

西数还预告了下下一代BiCS+闪存,堆叠超过200层,预计可带来60%的传输速度提升、15%的编程带宽提升、55%的晶圆容量提升,然后继续一路堆叠,2032年左右将超过500层!

另外,西数在PPT上海列出了PLC闪存,但没有任何细节消息。

西数将量产162层闪存:一块晶圆容量100TB

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