台积电3nm制程工艺即将投产:密度比5nm高60%
2022-03-05 16:00:21  出处:快科技 作者:祥云 编辑:祥云     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

据techpowerup报道称,台积电正在开发3nm的工艺制程,包括了N3、N3B和N3E多个节点。

据了解,台积电原计划在2022下半年量产N3节点,N3E量产计划为2023年下半年。

但由于作为3nm简化版的N3E节点,量产率较高,台积电希望早日实现商业化,可能提前到2023年上半年。

N3E的工艺流程也已经提前准备好了,在这个月底就会确定下来。

据悉,N3E在N3基础上减少了EUV光罩层数,从25层减少到21层,逻辑密度低了8%,不过仍比5nm的N5制程节点要高出60%,并且具有更好的性能、功耗和产量。

相比之下,据说N3的逻辑密度比N5高70%。

还有N3B,据说是针对某些客户的 N3 的改进版本,不过我们目前对N3B节点知之甚少。

无论N3E还是N3B,都不是用于取代N3,只是让客户有更多的选择,在不同产品上有更好的性能和功耗表现。

台积电3nm制程工艺即将投产:密度比5nm高60%

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