纳米终结 半导体10年内进入埃米时代:靠ASML新EUV光刻机了
2021-12-03 16:30:27  出处:快科技 作者:万南 编辑:万南     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

当前,量产的晶体管已经进入4nm尺度,3nm研发也已经冻结进入试产。

在11月于日本举办的线上ITF大会上,半导体行业大脑imec(比利时微电子研究中心)公布了未来十年的技术蓝图。

据悉,2025年后,晶体管微缩化进入埃米尺度(Å,angstrom,1埃 = 0.1纳米),时间节点的规划是,2025年A14(14Å=1.4纳米)、2027年为A10(10Å=1nm)、2029年为A7(7Å=0.7纳米)。

纳米终结 半导体10年内进入埃米时代:靠ASML新EUV光刻机了

微观晶体管结构层面,imec试图在14Å节点使用Forksheet结构(p型和n型纳米片晶体管成对排列,类似于用餐的叉子),10Å节点试图采用CEFT结构,1纳米(10Å)以下计划采用原子形状的沟道,依赖Mo(钼)、W(钨)、X为硫、Se硒、Te(碲)等2D材料和High NA(高数值孔径)EUV光刻机来实现。

说到High NA EUV光刻机(0.55NA),一号原型机(EXE:5000)将在2023年由ASML提供给imec的联合实验室,2026年量产,从而服务1nm及更先进的节点。

纳米终结 半导体10年内进入埃米时代:靠ASML新EUV光刻机了

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话题标签:纳米光刻机极紫外光刻埃米

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