在代工市场上，唯一可以和台积电抗衡的，就是三星了(Intel高调杀入但还需进一步观察)，双方在先进工艺进展上也是互不相让，7nm、5nm、3nm、2nm你追我赶。

在最新举办的三星代工论坛2021大会上，三星就披露了最新的工艺进展和路线图。

FinFET晶体管结构潜力几乎已经被挖掘殆尽，三星的下一步是GAA环绕栅极，3nm工艺上分为两个版本，其中3GAE(低功耗版)将在2022年年初投入量产，3GAP(高性能版)则会在2023年年初批量生产。

对比5nm，三星新的3nm GAA可以让面积缩小35％，同功耗下性能提高30％，同性能下功耗降低50％。

2nm工艺没有出现在公开路线图上，但是三星代工市场策略高级副总裁MoonSoo Kang透露，2GAP工艺会在2025年量产。

这是三星第一次透露2nm工艺的规划，但三星也警告说，新工艺进度还要看客户的规划和部署，所以我们推测，2026年可能是见到三星2nm工艺产品上市的更合理时间。

台积电方面的2nm工艺有望在2024年量产，领先三星一年左右。

话题标签：三星3nm2nm