中科院研发者回应5nm光刻技术突破ASML垄断:这是一个误读
2020-12-01 20:10:55  出处:快科技 作者:雪花 编辑:雪花     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

近日,中国科学院官网上发布的一则研究进展显示,该团队研发的新型5nm超高精度激光光刻加工方法,随后这被外界解读为,该团队已经突破了5nm ASML的垄断,对此相关人士也是进行了回应。

据《财经》报道称,该论文的通讯作者、中科院研究员、博士生导师刘前公开回应称,这是一个误读,这一技术与极紫外光刻技术是两回事。

中科院研发者回应5nm光刻技术突破ASML垄断:这是一个误读

按照刘前的说法,如果超高精度激光光刻加工技术能够用于高精度掩模版的制造,则有望提高我国掩模版的制造水平,对现有光刻机的芯片的线宽缩小也是十分有益的。这一技术在知识产权上是完全自主的,成本可能比现在的还低,具有产业化的前景。

但是,即便这一技术实现商用化,要突破荷兰ASML(阿斯麦)在光刻机上的垄断,还有很多核心技术需要突破,例如镜头的数值孔径、光源的波长等。

据悉,高端掩模版在国内还是一项“卡脖子”技术。在半导体领域,除了英特尔、三星、台积电三家能自主制造外,高端掩模版主要被美国的Photronics、大日本印刷株式会社(DNP)以及日本凸版印刷株式会社(Toppan)三家公司垄断,根据第三方市场研究机构前瞻产业研究院的数据,这三家公司的市场份额占到全球的82%。

中科院研发者回应5nm光刻技术突破ASML垄断:这是一个误读

一直以来,业界都在尝试另一条技术路线,例如华裔科学家、普林斯顿大学周郁在1995年首先提出纳米压印技术,目前仍无法突破商用化的困境

目前的现状是,没有一个国家能够独立自主完成光刻机的制造,中国以一国之力,短期内要突破ASML在极紫外光刻技术上的垄断,几乎是不可能的事情。

中科院研发者回应5nm光刻技术突破ASML垄断:这是一个误读

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#阿斯麦#光刻机#ASMR#极紫外光刻

责任编辑:雪花

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