FinFET寿终正寝!台积电2nm GAA工艺研发进度超前:落后三星一代
2020-09-21 18:02:46  出处:快科技 作者:万南 编辑:万南     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

当前,最先进的芯片已经采用了5nm工艺(苹果A14),这在另一方面也意味着,晶圆代工厂商们需要更加马不停蹄地推进制程技术的迭代。

来自Digitimes的最新报道称,台积电2nm GAA工艺研发进度提前,目前已经结束了路径探索阶段。

GAA即环绕栅极晶体管,旨在取代走到尽头的FinFET(鳍式场效应晶体管)。FinFET由华人科学家胡正明团队研制,首发于45nm,目前已经推进到5nm。

不过,据说台积电的3nm依然延续FinFET,但三星则会提前于3nm导入GAA技术。

FinFET寿终正寝!台积电2nm GAA工艺研发进度超前:仍落后三星一代

基于全新的GAA晶体管结构,三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),与现在的7nm工艺相比,3nm工艺可将核心面积减少45%,功耗降低50%,性能提升35%。

当然,落后其实并不可怕,最主要看进度。三星7nm也是想“一口吃个胖子”,直接导入EUV极紫外光刻,结果起个大早赶个晚集,被台积电用7nm DUV抢先,自己实际并未揽获多少有价值的订单。

FinFET寿终正寝!台积电2nm GAA工艺研发进度超前:仍落后三星一代

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#三星#台积电#FinFET#3nm#2nm

责任编辑:万南

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