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台积电宣布3nm工艺2021年风险量产 晶体管密度提升70%
2020-07-16 16:11:12  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞   点击可以复制本篇文章的标题和链接

台积电两年前量产了7nm工艺,今年要量产5nm工艺了,已经被华为、苹果抢先预定了大部分产能,现在3nm工艺也定了,官方宣布2021年风险量产,2020年下半年正式量产。

此外,台积电还透露了3nm工艺的技术指标,相比今年的5nm工艺,3nm工艺的晶体管密度提升15%,性能提升10-15%,能效提升20-25%

之前传闻台积电在3nm节点会放弃FinFET晶体管工艺转向GAA环绕栅极晶体管,不过最新消息称台积电研发成功2nm工艺,使用的是GAA晶体管技术,这意味着台积电3nm节点还会采用传统的FinFET工艺。

据外媒报道,台积电将如期推出iPhone和iPad的苹果A16芯片,该芯片将采用台积电的3nm工艺,并于2022年上市。

台积电宣布3nm工艺2021年风险量产 晶体管密度提升70%

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