千倍于闪存!格芯完成22FDX技术开发 将批量生产eMRAM芯片
2020-02-28 07:36:34  出处:快科技 作者:雪花 编辑:雪花     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

据外媒报道称,GlobalFoundries(格芯)今天宣布已经完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技术开发,而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器(eMRAM)。

eMRAM这种综合了RAM内存、NAND闪存的新型非易失性存储介质断电后不会丢失数据,写入速度则数千倍于闪存,可以兼做内存和硬盘,甚至统一两者。同时很关键的是,它对制造工艺要求低,良品率也高得多,可以更好地控制成本,成品价格自然不会太离谱。

事实上,除了GlobalFoundries外,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究eMRAM。

GlobalFoundries表示,使用其22FDX和eMRAM工艺技术生产的测试芯片,在ECC关闭模式下,在-40°C到125°C的工作温度下,具有10万个周期的耐久性和10年的数据保持能力。

此外,GlobalFoundries的eMRAM测试产品还可以通过标准可靠性测试,包括LTOL(168小时)、HTOL(500小时)和5x焊料回流,故障率<1ppm,而生产中的的磁抗扰性问题也得到了有效解决。

1万亿次写入寿命 传三星1Gb eMRAM内存良率已达90%

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#内存#磁阻内存

责任编辑:雪花

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