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继美光、三星后:SK海力士搞定1Znm 16Gb DDR4内存
2019-10-21 12:52:18  出处:快科技 作者:万南 编辑:万南   点击可以复制本篇文章的标题和链接

在美光、三星先后搞定1Znm工艺的16Gb DDR4 DRAM内存芯片后,SK海力士也终于跟上队伍了。

16Gb DDR4-3200内存芯片是当前行业内存储密度最高、速度最快的DRAM产品,预计明年开始大规模出货。

能效指标方面,SK海力士称1Znm相较于1Ynm,生产效率提升了27%;功耗与1Y nm 8Gb DRAM相比,下降了40%。

SK海力士透露,他们在1Znm世代导入了新研发的电容,还引入新设计,以提高稳定性。

按规划,1Z nm很快将应用于LPDDR5、HBM3等芯片上,成为更优质产品的代名词。

PS:

在内存工艺进入20nm之后,由于制造难度越来越高,内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽,而是分成了1X、1Y、1Z,大体来说1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm,1Znm工艺相当于12-14nm级别。

继美光、三星后:SK海力士搞定1Znm 16Gb DDR4内存

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