3D闪存已然成为SSD产品线中的主要技术流派，现在看来，ARM芯片也要朝这个方向发展。

GlobalFoundries (GF，格芯)本周宣布，成功基于自家的12nm FinFET工艺（12LP）流片了高性能的ARM 3D芯片。

格芯称，此次突破意味着能效更优秀的高密度移动芯片、无线芯片、AI/ML解决方案成为可能。

3D芯片说白了相当于盖楼，它不仅可以减少芯片面积，还能提高内部的互联速度，减少延迟。去年，Intel首次对外公开了自家的Fevoros 3D堆叠芯片技术，AMD更是从率先应用HBM显存开始就表现出对2.5D/3D封装的浓厚兴趣。

虽然格芯遗憾退出了7nm节点，但12nm相当成熟稳定，也许对于做3D芯片可以减少很多未知问题。