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内存闪存明年价格反弹 新一代存储芯片2020上市
2019-05-21 10:22:21  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

由于价格不断下滑,NAND闪存及DRAM内存已经不再高不可攀,16GB内存现在也只要600多块,不如一年前单条8GB内存的价格,而SSD硬盘跌的就更厉害了,1TB容量的也只要700多块了,M.2版也没贵出多少。

内存闪存价格齐跌,但是这两种存储芯片也同样面临着制程微缩的难题,提升性能、降低成本之路也会越来越艰难,为此Intel、三星、美光等厂商也在寻求开发新一代存储芯片解决方案,比如3D XPointMRAM磁阻随机存取存储器、PRAM相变内存及RRAM可变电阻内存等。

上述新一代存储芯片优势很多,它们既是非易失性的,不像DRAM内存那样断电就不能保存数据,而且性能也要比NAND闪存快得多,简单来说就是模糊了RAMROM的界限,试想一下电脑重启之后原来打开的网页、播放的视频还在是多么神奇的一件事,新一代存储芯片就有这样的效果。

不过这些芯片理论上性能动辄是内存、闪存的10倍、100倍甚至1000倍,但是目前的问题在于不论MRAM还是PRAM,它们现在的容量都很小,而且制造工艺也非标准化的,所以取代内存闪存的过程是漫长的。

目前做的比较的好也就是IntelOptane傲腾内存,傲腾DC可持续内存(Optane DC Persistent Memory)单条容量目前提供128GB256GB512GB,插槽兼容DDR4,最大功耗18W,频率最高等同于DDR4-2666,读取带宽最高6.8GB/s,写入带宽最高2.3GB/s

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)日前发表报告,称新一代存储器与现有解决方案各有优劣,最关键的机会点仍是在于价格。

由于新一代存储器尚未规模化与标准化,因此成本较高,所以厂商目前几乎都锁定在数据中心等特殊应用,尤其是超大规模数据中心拥有相对高程度的定制化设计,可以针对不同存储器规划新的配置。

此外,DRAMeXchange认为目前内存、闪存价格下滑,并不是新一代存储芯片进入市场的机会,他们预计明年内存、闪存价格就会止跌反弹,这个时候也是新一代存储芯片进入市场的好机会。

内存闪存明年价格反弹 新一代存储芯片2020上市

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