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富士通打造碳纳米管内存:比闪存快1000倍
2016-09-02 23:43:36  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接

日本富士通宣布,与美国Mantero公司达成合作协议,将共同推进碳纳米管内存(NRAM)的研发、制造。这种全新内存号称速度是普通闪存的1000倍。

碳纳米管(又名富勒烯/简称CNT)是一种很独特的材料,直径只有人类头发的5万分之一,能导热导电,硬度是钢铁的50倍,和它沾边的东西几乎都是高级黑科技,包括很多号称有突破性的新电池。

碳纳米管还能通过硅基沉底实现0、1的变化,所以可以做成存储芯片,而且是非易失性的,断电也不会丢数据。

除了速度更快,NRAM内存的功耗也更低,可靠性、耐用性都更强,关键是成本更低。

富士通计划将Mantero公司的NRAM内存整合到自家芯片中,预计2018年底推出商用商品,不过制造工艺55nm,单颗容量也只有256Gb(32MB),并不适合大规模普及。

其实,Nantero 2006年开始就说要投产碳纳米管内存,但一直没什么进展,希望这次能和富士通做出一些实际效果,推动这一技术的深入发展。

富士通打造碳纳米管内存:比闪存快1000倍

富士通打造碳纳米管内存:比闪存快1000倍

 

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