【FinFET工艺：终于等到你了】

GPU其实一直是非常喜欢新工艺的，但是由于这年头移动处理器蓬勃发展，代工厂的优先级也变了，尤其是台积电20nm，优先为移动芯片设计，并不适合GPU这样的高性能芯片，所以AMD、NVIDIA同时选择了跳过，继续在28nm上隐忍的同时默默等待。

终于，全新的FinFET工艺来了，第一次为GPU带来了立体晶体管技术。台积电发展了16nm FinFET，三星则搞出了14nm FinFET，均已经证明了自己的成功，后者还授权给了GlobalFoundries。

GPU的晶体管密度每两年就会翻一番，这就不断需要更新工艺的支持，而随着半导体工艺接近亚纳米时代，静态漏电率也在随之翻番。

为此，AMD和代工厂投入了各种技术解决这一问题，包括多重电压岛、后偏置、高级时钟门控电路等等，但却解决不了动态漏电率问题，还会影响性能。

这时候，FinFET立体晶体管工艺就是必需的了。它本质上相当于把原本处于2D平面上的晶体管给折叠起来，从而获得更高晶体管密度、更多栅极控制、更低漏电率等等，可比传统工艺大大提升性能和功耗。

FinFET技术的研究其实在二十世纪八十年代末就开始了，Intel 2012年第一次在22nm节点上投入商用，不过称之为Tri-Gate，现在行业统一称为FinFET。

对比GPU现在普遍使用的28nm平面晶体管工艺，FinFET对性能的提升是极为凶猛的，当然漏电率(功耗)也能大大下降，所以这几年的等待是值得的。

AMD全新一代显卡将在2016年中发布上市，也就是下一届台北电脑展时。过几天的CES 2016大展上，AMD也会首次公开展示新卡。

延伸阅读：

功耗暴降40％！AMD北极星新卡碾压N卡