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华人胡正明获美国最高技术奖:发明FinFET
2015-12-23 17:30:54  出处:快科技 作者:万南 编辑:万南   点击可以复制本篇文章的标题和链接

据白宫官网报道,美国东部时间22日,2015年美国最高科技奖获奖名单公布,包括9名国家科学奖获得者(National Medal of Science)和8名国家技术和创新奖(National Medal of Technology and Innovation)获得者。

其中美籍华人科学家胡正明荣获年度国家技术和创新奖

华人胡正明获美国最高技术奖:发明FinFET

胡正明教授是鳍式场效晶体管(FinFET)的发明者,如今三星、台积电能做到14nm/16nm都依赖这项技术。他1947年出生于北京豆芽菜胡同,在台湾长大,后来考入加州大学伯克利分校。

在华为海思麒麟950的发布会上,胡正明教授曾现身VCR(视频点击),据他介绍,FinFET的两个突破,一是把晶体做薄后解决了漏电问题,二是向上发展,晶片内构从水平变成垂直

胡认为,FinFET的真正影响是打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制,这项技术现在仍看不到极限

2010年后,Bulk CMOS工艺技术在20nm走到尽头,胡教授的FinFET和FD-SOI工艺发明得以使摩尔定律在今天延续传奇。

华人胡正明获美国最高技术奖:发明FinFET

华人胡正明获美国最高技术奖:发明FinFET

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