三星电子今天宣布，已经量产业内最先进的8Gb(1GB) DDR4内存颗粒、32GB DDR4内存条，均采用了其最新的20n工艺。

新颗粒与内存仍是面向企业服务器的，RDIMM类型，已于本月初投产。额定频率为2400MHz，相比于DDR3-1866性能可提升大约29％，而电压维持在标准的1.2V。

三星表示，借助3D TSV硅穿孔技术，新颗粒可以制造单条128GB的超大容量条子。

如此一来，三星的20nm DRAM工艺也算是全面普及了，还有用于台式机的20nm 4Gb DDR3、给移动设备的20nm 6Gb LPDDR3。

虽然三星声称内存在2015年也不会降价，但说的主要是DDR3，DDR4在历史的大趋势下必然会慢慢平民化，预计到2016年就差不多了。三星作为全球最大DRAM内存厂商，20nm新工艺逐渐普及，还在兴建超大的新工厂，DDR4真的是越来越近了。